PDF《TB67H303HG》

160 °C (典型值.) 输出开 输出开 STBY 输入 输出状态 H L

90 °C (典型值) ALERT1 输出 H L 输出关 0.2 ms 接点温度 (芯片温度)

160 °C (典型值) H L

90 °C (典型值.) H L 输出状态 输出开 输出关 STBY 输入 ALERT1 输出 接点温度(芯片温度) *: 时间需达到约 1.6 ms 或以上. 相当于 fOSC 0.010 ms (典型值),0.1 ms (最大值) 的40 分频 TB67H303HG 2014-03-17

10 译文 ISD (过电流检测) 流经输出功率 MOSFET 的电流需进行单独监控.如果在八个输出功率 MOSFET 的至少其中一个中检测到过电流, 则所有输出功率 MOSFET 均会被关闭.应提供

1 μs 或以上( Rosc=51kΩ 时的典型值)(注)的屏蔽期,以防止杂波导致 引发检测错误.在该屏蔽期内,ISD 不工作.不会自动返回该工作.其已被锁存.可通过对 STBY H→L→H 进行编 程来解除该功能. ISD = 6.5 A (注) 锁存器返回 通过按上图所示的对 STBY H → L → H 进行编程,或打开电源重新驱动 UVLO,即可返回该工作. 注:装运前未经测试. STBY = L:ISD 未启用. STBY 输入 H L ALERT1 输出 H L 6.5 A (典型值) 0.2 ms DMOS 功率晶体管电流 不工作区

1 μs(典型值) ........