PDF《建设项目环境影响报告表》

2012 年3月, 公司致力于第三代半导体氮化镓电子 材料和光电材料的研发与产业化,2014 年公司在苏州工业园区金鸡湖路

99 号纳米城投 资3200 万元,独立进行氮化镓外延片的开发. 为了满足企业发展需求, 公司出资

2922 万元, 扩建大尺寸硅衬底氮化镓外延材料研 发生产 MOCVD 机台项目,新增年产氮化镓外延片

30000 片.公司

2018 年10 月12 日 获得苏州工业园区行政审批局立项备案(项目代码:苏园行审备[2018]395 号) ,公司在 苏州工业园区企业服务平台进行了环评申报登记. 本次扩建项目仍位于苏州工业园区纳米城西北区

19 栋4楼, 公司与苏州纳米科技发 展有限公司签订租赁合同,其租赁协议具体见附件 3.本项目主体工程及产品方案详见 表1-5.厂区及车间平面布置见附图 3~4. 项目名称:苏州晶湛半导体有限公司大尺寸硅衬底氮化镓外延材料研发生产 MOCVD 机台扩建项目 建设单位:苏州晶湛半导体有限公司 建设地点:苏州工业园区金鸡湖大道

99 号苏州纳米城西北区

19 栋4楼建设规........