DOC《TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统》

TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统 产品简介:此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率.

并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验. 主要功能和特点:

1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相;

2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;

3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;

4、能广泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长. 开启式真空管式炉技术参数 石英管尺寸 L1400mm Φ(

60、

80、100) 加热元件 掺钼铁铬铝合金电阻丝 测温元件 K型热电偶 加热区长度 410mm 恒温区长度 200mm 工作温度 ≤1100℃ 控温模式 模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能 控温精度 ±1℃ 升温速率 ≤20℃/min 电功率 AC220V/50HZ/3KW 质量供气系统技术参数 外形尺寸 600x600x600mm 标准量程 50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);

数显压力表测量范围 -0.1Mpa~0.15Mpa 极限压力 3MPa 针阀 316不锈钢 截止阀 Φ6mm 316不锈钢针阀 电功率 AC220V/50HZ/20W 响应时间 气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec 准确度 ±1.5% 线性 ±0.5~1.5% 重复精度 ±0.2% 接口 Φ6,1/4'' 真空系统技术参数 外型尺寸 600*600*600mm 工作电电压 220V±10% 50~60HZ 功率 400W 抽气速率 4L\s 极限真空 4X10-2Pa 实验真空度 1.0X10-1Pa 容油量 1.1L 进气口口径 KF25 排气口口径 KF25 转速 1450rpm 射频电源 信号频率 13.56 MHz±0.005% 功率输出范围 5-300W 5W-500W可选 最大反射功率 200W 射频输出接口

50 Ω, N-type, female 功率稳定度 ±0.1% 谐波分量 ≤-50dbc 供电电压 单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ 整机效率 >=70% 功率因素 >=90% 冷却方式 强制风冷