DOC《附件1》

外延片实现批量生产.6英寸SiC外延片微管密度0.5个/cm2;

SiC浓度掺杂水平从在1014到1019cm-3范围内实现准确的原位掺杂.外延层厚度10-100um,厚度均匀性5%以内,表面缺陷0.5个/cm2,最低掺杂浓度2*1014 cm -3. 2.大尺寸GaN外延片规模化制备技术研发 研究内容:针对5G通讯等新兴行业对GaN大功率微波器件和外延片和紫外LED外延片快速增长的迫切需求,开展4英寸大尺寸GaN外延片规模化制备技术研究,突破低缺陷密度生长、精确可控掺杂、复杂多量子阱调控、新型异质结构设计、应力匹配生长等关键技术,实现低翘曲度、高结晶质量的大尺寸微波功率器件GaN外延片和紫外发光GaN外延片的产业化. 考核指标:外延片直径4英寸,XRD(002)和(102)摇摆曲线半高宽分别小于300arcsec和500arcsec,电阻率均匀性优于5%,实现年产GaN外延片大于1万片的规模化生产. 3.新一代移动通信芯片、平板显示和视频多光谱芯片技术研发 研究内容:移动通信、智能终端、平板显示及光电产业已被确定为陕西下一步发展的重点产业,围绕该产业重点支持射频芯片和微波器件设计研发、5G移动通信芯片及支持现有5G标准的SOC芯片、平板显示配套集成电路和面向物联网应用的超低功耗有源射频识别SOC核心芯片开发,视频多光谱芯片及其关键制造工艺、大面积高效谱分离以及基于视频多光谱芯片的集成、封装、定标等技术. 考核指标:射频微波功率器件频率4-6GHz,效率大于55%,单管功率大于30dBm;

5G通讯芯片支持5G、LTE、4G标准,满足协议要求;

智能终端和平板显示芯片模组销售量不少于100万套;

超低功耗有源射频识别SOC核心芯片销售量不少于50万颗;

视频光谱段范围650-900nm,谱段数≥9,像素数≥1024*1024,帧频≥25Hz,具备小批量生产能力. 4.新能源汽车、动车和智能电网半导体器件及相关芯片研发 研究内容:围绕新能源汽车开发的汽车电子产品及相关芯片开发,支持BMS电动汽车电源管理系统芯片开发,围绕动车和智能电网等的大功率MOSFET和IGBT器件设计及生产等, 支持节约能源的低功耗控制芯片研发等. 考核指标:BMS电源管理芯片销售量不少于500万颗;

大功率MOSFET器件耐压不低于1000V,电流>

40A,功率>

400W;

IGBT器件耐压范围600-6500V,电流1A-500A,开关频率1-100KHz,并形成批量生产能力. 5.卫星导航芯片、存储器和FPGA研发 研究内容:围绕卫星应用及导航开发的GPS/北斗双模卫星导航SoC芯片、第三代4G/3G北斗移动终端项目等围绕移动终端领域配套的芯片研发,面向第三代高性能低功耗的存储器的芯片开发,重点支持MRAM及磁电存储等芯片研发,加快FPGA芯片开发以及相关产品在先进制造业领域的应用. 考核指标:北斗射频/基带芯片支持GPS/北斗双模工作,定位精度优于0.5米,销售量≥500万颗;

存储器芯片容量单颗≥4Gb,接口速度1866-3733MHz;

FPGA规模≥5000万门,销售量≥1000万颗. 6.特色半导体制造和封装工艺研发 研究内容:支持特色集成电路工艺、SIP封装等工艺的研发及应用,重点支持抗辐照加固、高压电路的工艺及电路研发;

在封装领域重点支持高密度超薄封装技术和倒装、三维封装以及系统级封装等工艺技术开发及应用;

支持以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的功率器件的研发及生产. 考核指标:形成可量产的抗辐照加固工艺库(65nm节点);