PDF《高效节能功率MOSFET》

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semicon-storage.com 微博 微信 高效节能功率MOSFET (U-MOSⅧ-H/U-MOSⅨ-H/DTMOSⅣ) 产品概述 方案特点 东芝提供高性能MOSFET,具备高速,低损耗,低导通电阻等功能. 封装及耐压范围广 可以满足您各方面的需求. 绿色节能 MOSFET的沟道工艺及超级节工艺使我们的产品可以提供更低的 导通电阻和更高的开关速度性能 节省空间 我们使用最新的芯片封装技术在保证低导通电阻及高效率的基础上 降低产品空间 应用广泛 我们功率MOSFET提供30V到800V范围内多种组合的耐压产品, 可以满足您各种应用 沟道工艺 (U-MOSⅧ-H/U-MOSⅨ-H) 超级结工艺 (DTMOSⅣ) 栅极的垂直沟道U型结构可以提高集成密度,降低 导通电阻. P层的垂直构造工艺使得东芝DTMOS第IV代系列产品可以 在拥有高耐压的同时保持低导通电阻的性能. 通过应用单层外延的工艺技术,DTMOS第IV代可以实现高性 能、高效率,这主要得益于它精简的几何构造及生产过程.