PDF《产品特色》

6 V BYPASS (BP) 回授 (FB) 源极 (S) FB 输出 重设

6 V

5 V t例输出 t例输入 VILIMIT ILIM VTH t例输入 t例输出 VILIMIT 6.5 V 驱动 ILIM DCMAX DCMAX FB 限电流比较器 状态机 例延迟 回复过温 保护 振荡器 故障 自动重新启动 开启 - 开启 电感修正 定电流 D Q

12 S

11 S

10 S

9 S

8 S

7 S FB

1 BP

2 NC

3 NC

4 D

6 PI-6906-051614 外露焊垫 (背面) 内部 连接至 源极接脚

1 E 封装 (eSIP-7C) K 封装 (eSOP-12B) 外露焊垫 (底部) 内部连接至 源极接脚

2 BP FB

3 NC

4 NC

5 S

7 D D 封装 (SO-8C) FB

1 BP

2 D

4 8 S

7 S

6 S

5 S

3 LYTSwitch-2 功能说明 LYTSwitch-2 IC 将高电压功率 MOSFET 切换开关及电源供应器 控制器结合在一部装置中.类似於 LinkSwitch-LP 和TinySwitch-III IC,它也使用开/关控制来调节输出电压.此外, 会调变切换频率来调节输出电流以提供定电流特性.LYTSwitch-2 控制器由以下元件构成:振荡器、回授 (感测和逻辑) 电路、6 V 调整器、过温保护、频率抖动、限电流电路、上升边缘遮蔽、 电感修正电路、用於定电流调节的频率控制,以及用於 CV 控制 的开/关状态机. 电感修正电路 当一次侧磁化电感过高或过低时,转换器 (converter) 将透过调 节振荡器频率自动对其进行补偿.由於此控制器用於在不连续 导通模式下工作,因此输出功率与设定的一次侧电感直接成比 例,并且可透过调节切换开关频率对其容差进行完全补偿. 定电流 (CC) 工作 当偏压绕组上的输出电压 (进而是反驰电压) 增加,回授接脚电 压便增加.切换频率会随著回授接脚电压增加而调整,以便提 供恒定的输出电流调节.定电流电路和电感修正电路设计为可 在CC 阶段并行工作. 定电压 (CV) 工作 当回授接脚在定电流调节模式下接近

2 V 时,电源供应器会转 入CV 工作模式.此时的切换频率会处於与 CV/CC 特性的峰值 功率点一致的最大值.控制器会使用开/关状态机来调节回授接 脚电压,以维持在回授接脚临界值 (VFBTH ).关闭高电压切换开关 后,会对回授接脚电压取样 2.5 ms.在轻负载时,限电流也会 减少以降低变压器磁通密度,并且更早完成回授接脚取样. 自动重新启动和开回路保护 如果出现故障 (如输出短路或开回路状况),LYTSwitch-2 IC 会进 入适当的保护模式. 如果在回授接脚取样延迟 (~2.5 ms) 达到超过 ~450 ms (自动重 新启动开启时间 (tAR-ON ) 之前,回授接脚在返驰期间的电压降至 0.7 V 以下,则转换器会进入重新启动模式,此时功率 MOSFET 会停用 1.2 秒.自动重新启动功能会交替启用和停用功率 MOSFET 的切换,直到消除故障状况为止. 除了上述的自动启动情况之外,如果在导通周期 (切换开关「开启」时间) 的顺向期间感测到的回授接脚电流降至

120 mA 以下, 则转换器会将此情形告示为开回路情况 (分压器最顶端的电阻器 开路或缺少),并将自动启动时间从

450 ms 缩短至大约

6 次时钟 周期 (90 ms),而停用期间维持为

2 秒. 过温保护 过温保护电路会感测晶片温度.典型临界值设为

142 °C (磁 度为

60 °C).如果晶片温度上升超过此临界值 (142 °C),将停用 功率 MOSFET,直到晶片温度下降达

60 °C 时才会重新启用 MOSFET. 限电流 限电流电路会感测功率 MOSFET 中的电流.如果该电流超出内 部临界值 (ILIMIT ),则会在该周期的剩余时间内关闭功率 MOSFET.开启功率 MOSFET 后,上升边缘遮蔽电路会在短期 (tLEB ) 内禁止使用限电流比较器.此上升边缘遮蔽时间已设定为 适当的值,让电容和整流器反向恢复引起的电流突波不会导致 MOSFET 导通过早终止.LYTSwitch-2 IC 也包含「di/dt」修正 功能,以将整个输入线间电压围的 CC 变化降至最低.