PDF《产品特色》

9 NC

10 FWD

11 VOUT

12 SR

13 BPS

14 FB

15 GND

16 IS D

1 S 3-6 BPP

7 V

8 如果不需要次级电流检测,电流检测引脚应连接至次级接地引脚. InnoSwitch-CE功能描述 InnoSwitch-CE在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关以及初级 侧和次级侧控制器.它采用一种使用封装引线框和焊线构成的创新性磁 感耦合反馈机制,向初级IC传递信息,提供一种可靠且低成本的直接检测 次级侧输出电压和输出电流的控制方式.与传统的PWM(脉宽调制)控 制器不同,它使用简单的ON/OFF控制方式来稳定输出电压和电流.初级 控制器包括了一个振荡器、一个与次级控制器进行磁感耦合的接收器电 路、流限状态调节器、位于初级旁路引脚的5.95 V稳压器、过压电路、电 流限流选择电路、过热保护、前沿消隐电路及一个650 V的功率MOSFET 管.InnoSwitch-CE次级控制器包括磁感耦合至初级接收器的发射器电 路、恒压(CV)及恒流(CC)控制电路、位于次级旁路引脚的4.4 V稳压器、 同步整流管MOSFET驱动器、频率抖动振荡器以及多项集成的保护功能. 图3和图4所示为实现各种重要功能的初级及次级控制器的功能框图. 初级旁路引脚稳压器 在功率MOSFET处于关断期间,初级旁路引脚中的内部稳压器器会从漏 极引脚电压吸收电流,将初级旁路引脚电容充电至VBPP.初级旁路引脚 是内部供电电压节点.当功率MOSFET导通时,器件利用储存在初级旁 路引脚电容内的能量工作.内部电路极低的功率耗散使InnoSwitch-CE 可使用从漏极吸收的电流持续工作. 此外,当有电流通过一个外部电阻提供给初级旁路引脚时,一个分流稳 压器会将初级旁路引脚电压箝位在VSHUNT.这样就可方便地通过一个偏置 绕组由外部向InnoSwitch-CE供电,从而将空载能耗降低到10 mW以下 (5V输出设计). 初级旁路引脚电容的选择 初级旁路引脚可使用一个数值小至0.1 mF的小陶瓷电容来实现对内部供 电电源的去耦.另外也可使用更大的电容来调节流限.初级旁路引脚上 采用1 mF电容时将选择一个与相邻更大型号相同的流限值.初级旁路引 脚上采用10 mF电容时将选择一个与相邻更小型号相同的流限值. 初级旁路引脚欠压阈值 在稳态工作下,当初级旁路引脚电压下降到VBPP-VBPP(H)以下时,初级旁路 引脚欠压电路将停止功率MOSFET开关.一旦初级旁路引脚电压降到该 阈值以下,它就必须升回到VBPP,才能使能(开通)功率MOSFET. 初级旁路引脚输出过压锁存功能 初级旁路引脚具备过压保护锁存功能.与电阻(与初级旁路引脚电容串........