PDF《SM7724P》

当VDD 电压达到芯片启动电压时,芯片内部控制电路 开始工作.SM7724P 内部设置 17V 稳压管,用于箝位 VDD 电压.芯片正常工作时,需要 VDD 电流很低,无辅助绕 组供电,仅通过启动电阻供电就能够维持芯片自身耗电. ? 储能电感 SM7724P 工作于电感电流临界模式,当功率管导通时,流过储能电感的电流从零开始上升,导通时间为: IN PK ON V I L T ? ? (L 为电感量, PK I 为电感电流峰值) 当功率管关断后,流过储能电感的电流从峰值开始往下降,当电感电流下降到零时,芯片内部逻辑控制功率管 再次导通.功率管的关断时间为: OUT PK OFF V I L T ? ? SM7724P 设置了系统的最小消磁时间(1.5us)和最大消磁时间(40us) .如果电感量很小,关闭时间可能会小于 芯片的最小消磁时间, 系统就会进入电感电流断续模式;

当电感量很大时, 关闭时间又可能大于芯片最大消磁时间, 这是系统就会进入电感电流连续导通模式. ? RT 电阻设置 通过 RT 引脚电阻来设置最大 TON 时间,RT 引脚输出电流固定为 20uA.

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10 9 ? ? ? ON T T R (kΩ) ? 前沿消隐(LEB) 功率 MOSFET 每开启一次,电流检测电阻上就不可避免的产生一个尖峰电压.为了避免此尖峰信号使控制器误 动作,芯片内置了 350ns 的前沿消隐时间,在这段前沿消隐的时间内,GATE 输出驱动也就不会被关断. ? 保护功能 SM7724P 内置多种保护功能,包括 LED 短路保护, VDD 欠压保护,芯片温度过热调节等.当LED 短路时,系 统工作在很低的频率.同时系统不断检测负载状态,如果故障排除,系统将重新开始正常工作. ? 过热调节功能 SM7724P 具有芯片温度过热调节功能,在芯片温度过热时,逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,提 高系统的可靠性;

芯片内部设定的过热调节温度点为 135℃. 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7724P 带可控硅调光的 LED 驱动芯片 QTIGIGV1.2 -

5 - PCB layout 注意事项 PCB 设计注意事项: ? RCS 电阻地线尽量短;

? VDD 电容尽量靠近芯片;

? 主环路面积尽量小,这样做会提高传导辐射性能;

? RT 电阻必须靠近芯片,VDD 电容的 GND 及RT 的电阻的 GND 尽量靠近芯片的 GND;

? 在整体布局时, 综合考虑各个热源的空间摆放, 保证各个热源互相之间不要靠太近, 主要热源有变压器、 芯片、 续流二极管. DRAIN 散热处理 GND 单点接地

7 脚增加阻焊层 管脚间增加阻焊层 RT 脚外围元件靠 近RT 脚注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

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6 - 典型应用方案 ? SM7724P 110Vac 70V/130mA 认证系统 原理图 BOM 单 位号 参数 位号 参数 位号 参数 FR1 22R/1W R4 100K/1206 C3 0.1uF/400V FR2 22R/1W R5 1.8R/1206 C4 4.7uF/50V RV1 7D471 R6 1.8R/1206 C5 100uF/100V L2 3mH R7 75K/0805 C6 1nF/1000V DB1 MB6S R8 300K/1206 C7 220pF/50V D1 ES2J R9 100K/1206 L1 EE13 立式(5+5)/1.4mH R1 5.6K/0805 R10 NC U1 SM7724P R2 220R/2WS C1 0.1uF/400V R3 1M/1206 C2 0.1uF/400V 电感参数 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

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7 - 封装形式 SOP8-7 Symbol Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 e 1.27(BSC) E 5.7 6.4 E1 3.7 4.2 L 0.2 1.5 θ 0° 10° 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务