PDF《HT7A6322 离线 SMPS 小功率初级转换开关》

TSD - THYST

0 ― ― mA ICC 无开关操作时工作电流 IFB=2mA ― 0.65 0.8 mA 开关操作时工作电流 IFB=0.5mA;

ID=50mA(2) ― 0.7 0.9 mA DRST 重启占空比 ― ―

16 ― % VCCoff VCC 欠压锁定阈值电压 ―

7 8

9 V VCCon VCC 启动阈值电压 ―

13 14.5

16 V VCChyst VCC 阈值迟滞电压 ― 5.8 6.5 7.2 V VCCovp VCC 过压保护阈值电压 ―

35 38

41 V 振荡部分 fOSC 振荡器频率 VCC=VCCoff~35V;

TJ=0~100?C

54 60

66 kHz PWM 比较器部分 GID IFB 至Id 电流增益 ― ―

560 ― ― IDlim 峰值电流限制 VFB=0V 0.56 0.7 0.84 A IFBsd IFB 关机电流 ― ― 0.9 ― mA RFB FB 引脚输入阻抗 ID=0mA ― 1.2 ― kΩ td 电流侦测关闭延迟 ID=0.2A ―

200 ― nS tb 消隐时间 ― ―

350 ― nS tONmin 最小开启时间 ― ―

550 ― nS 过温保护部分 TSD 热关机温度 ―

140 170 ― ?C THYST 热关机迟滞 ― ―

40 ― ?C 注:超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害.建议工作范围指明了正常工作的范围,但特殊情况 除外.此处规格仅针对于所列的测试条件下. 1. 用于钳位感性负载 2. 此测试条件通过连接一个电阻负载导致芯片最大传感时间 Rev. 1.20

5 2018-01-22 HT7A6322 应用说明 次级侧的反馈信号通过原级侧光电耦合 器,芯片可根据反馈的信号调整输出电压. 此芯片具有低静态电流和低待机功耗的优 点.同时也提供多种保护功能防止控制器 出错. 高压启动 SW 引脚为高压启动电流源引脚,此电流 源在高压控制下产生电流并向 VCC 引脚 充电,直到有交流电压接入转换器并触发 UVLO 功能.当VCC 电压大于 UVLO 触发 电压时,将关闭高压启动电流源,芯片开 始进行 Power MOSFET 开关切换工作. 反馈功能 可通过FB 引脚信号确定芯片的操作. Power MOSFET 的源极与接地端间连接一 个电流侦测电阻,用于检测 Power MOSFET 电流,也可侦测通过 FB 引脚的电流.芯 片将侦测电阻上的电压值与一个固定的 参考电压 (0.23V) 比较,当侦测的电压值 大于0.23V 时, 会关闭Power MOSFET. 如下图所示加入FB 电阻(RFB=100Ω) 是为了加强其老化以及恶劣环境的可靠度. VCC FB

3 4 RFB 前沿消隐 (LEB) 当Power MOSFET 打开时,因初级侧电容 及次级侧整流二极管反向恢复作用,会产 生一个高峰值电流.此峰值电流会通过侦 测电阻转化为电压从而导致当前模式 PWM 控制电路产生错误的反馈.为了防止此种 错误发生,芯片内部集成了前沿消隐电路, 可以在 Power MOSFET 导通后,经过一段 前沿消隐时间再去控制电流. 欠压锁定功能 (UVLO) 当有异常情况发生时,芯片关闭 Power MOSFET 并引起 VCC 电压下降.当VCC 电 压降至 UVLO 电压低压值 (8V) 时,触发 芯片内置的保护电路,内部高压启动电流 源开始给 VCC 电容充电.当VCC 电压升至 UVLO 电压高压值 (14.5V) 时,芯片可恢复 正常工作.通过上述方式,此自动重启功 能可交替使能 / 除能 Power MOSFET 开关 操作,直至错误状况解除. 热关机功能 (TSD) 因HT7A6322 芯片集成控制器与Power MOSFET 于同一个芯片,因此将会比较容 易检测到芯片及 Power MOSFET 的温度. 当检测到温度超过 170?C 时,触发热关机 保护功能从而关断 Power MOSFET.直到 芯片温度低于恢复温度 ( 约130?C) 并且 VCC 电压低于 2V 时,芯片才再次恢复正常 工作. 过压保护功能 (OVP) 当次级侧反馈电路发生误操作或因线路错 误导致反馈回路断开,通过光电耦合器的 电流接近于零,将使过多能量聚集于输出 端,从而导致输出电压超过规定的电压值 并损坏次级侧元器件.此芯片内置了过压 保护电路以防止此种情况发生.当VCC 电 压超过 38V,激活过压保护功能关闭芯片 从而阻止误操作对器件的损坏. Rev. 1.20