PDF《硅FS 绝缘栅双极型晶体管》

BT15T120 CNF 无锡华润华晶微电子有限公司2015V01

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8 R 硅FS 绝缘栅双极型晶体管 概述 华晶 1200VTrench FS IGBT 采用先进的沟槽栅 FS 技术,具 有良好的导通和开关特性的特点.

产品封装形式:TO-3P(N) ,符合 RoHS 指令要求 特点 l 沟槽栅 FS 技术,正温度系数 l 低同态压降: VCE(sat), TYP= 2.0V@ IC = 15A,TC = 25°C 用途 主要用于电磁炉等电磁加热(IH)设备. 极限值(除非另有规定,Ta= 25℃) 符号 参数名称 额定值 单位 VCES 最高集电极-发射极直流电压

1200 V VGES 最高栅极-发射极直流电压 ±20 V IC 集电极电流

30 A 集电极电流 @TC =

100 °C

15 A ICM a1 最大脉冲集电极电流(注1)

45 A IF 二极管正向电流@TC =

100 °C

15 A IFM 最大二极管正向电流@TC =

100 °C

45 A PD 耗散功率 @ TC = 25°C

160 W 耗散功率 @TC =

100 °C

65 W TJ,Tstg 工作结温、存储温度范围 -55 to +150 ℃ TL 引线最高焊接温度

300 ℃ 热特性 符号 参数名称 额定值 最大值 单位 RθJC IGBT 结到管壳热阻 0.55 0.8 ℃/W RθJC 反并联二极管结到管壳热阻 1.0

2 ℃/W RθJA 结到环境热阻

35 40 ℃/W VCES

1200 V IC

15 A Ptot (TC=25℃)

160 W VCE(SAT) 2.0 V 无锡华润华晶微电子有限公司2015V01

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8 R BT15T120 CNF 电特性 (除非另有规定,Tc= 25℃) 静态参数 符号 参数名称 测试条件 参数规范 单位 最小值. 典型值 最大值 VCES 集电极-发射极击穿电压 VGE=0V,ICE=250uA

1200 -- -- V ICES 零栅压下集电极漏电流 VGE =0V,VCE=VCES -- -- 1.0 mA IGES(F) 正向栅极漏电流 VGE =+20V -- -- +250 nA IGES(R) 反向栅极漏电流 VGE =-20V -- -- -250 nA 静态特性 符号 参数名称 测试条件 参数规范 单位 最小值 典型值 最大值 VCE(sat) 饱和压降 IC=15A,VGE=15V -- 2.0 2.5 V VGE(th) 阈值电压 IC=250uA,VCE=VGE 4.5 6.0 7.5 V 脉冲宽度 tp≤300?s,δ≤2% 动态特性 符号 参数名称 测试条件 参数规范 单位 最小值 典型值 最大值 Cies 输入电容 VCE=30V,VGE=0V f=1MHz --

2485 pF Coes 输出电容 --

51 Cres 反馈电容 -- 27.6 开关特性 符号 参数名称 测试条件 参数规范 单位 最小值. 典型值 最大值 td(ON) 开通延迟 VCE=600V,IC=15A VGE=15V, Rg=10Ω Inductive Load --

37 ns tr 上升时间 --

25 td(OFF) 关断延迟 --

90 tf 下降时间 --

93 Eon 开通损耗 -- 0.9 mJ Eoff 关断损耗 -- 0.4 Ets 总开关损耗 -- 1.3 Qg 总栅电荷 VCE=600V,IC=15A VGE=15V --

92 nC Qge G-E 电荷 --

25 Qgc G-C 电荷 --

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8 R BT15T120 CNF 二极管电特性 (除非另有规定,Tc= 25℃) 符号 参数名称 测试条件 参数规范 单位 最小值 典型值 最大值 VFM 正向压降 IF=15A -- 1.7 V Trr 反向恢复时间 IF=15A di/dt=200A/uS --

253 ns Irr 反向恢复电流峰值 --

14 A Qrr 反向恢复电荷 -- 1.8 uC 脉冲宽度 tp≤300?s,δ≤2% 注释 1:脉冲宽度受最高结温限制 无锡华润华晶微电子有限公司2015V01

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8 R BT15T120 CNF 典型电性能特性 图1. 输出特性曲线 图2. 输出特性曲线高低温对比 图3. 饱和压降与结温的关系 图5. 高温饱和压降与栅压关系 图4. 常温饱和压降与栅压关系 图6. 电容特性 无锡华润华晶微电子有限公司2015V01

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8 R BT15T120 CNF 图15. 反向恢复时间 图7. 开启特性与栅电阻关系 图8. 关断特性与栅电阻关系 图9. 开关损耗与栅电阻关系 图10. 开启特性与集电极电流关系 图11. 关断特新与集电极电流关系 图12. 开关损耗与集电极电流关系 无锡华润华晶微电子有限公司2015V01