PDF《SinOne》

5 FLASH ROM 和SRAM 结构 SC91F8301 的Flash ROM 和SRAM 结构如下: 5.1 FLASH ROM SC91F8301 有8KB 的Flash ROM,ROM 地址为 0000H~1FFFH,其中地址为 1F00H~1FFFH 的256Byte Flash 可以作为 EEPROM 使用(即支持用户在程式中擦写,详细操作请看 IAP 章节).此8KB Flash ROM 可反 复擦写

10 万次,可通过 SinOneChip 提供的专用 ICP 烧写器(量产脱机工具 Pro51/Pro52,在线开发工具 DPT51/DPT52)来进行编程及擦除.为程序保密,地址为 0000H~00FFH地址的 256B区间 MOVC指令不可寻址. SC91F8301 的8KB Flash ROM 能提供查空 BLANK、编程 PROGRAM、校验 VERIFY 的功能,但不提供读 取READ 的功能.特别提出,此Flash 写入前无需执行擦除 ERASE. 注意: SC91F8301 的8KB Flash ROM 最高

4 Byte 地址(地址 1FFCH~1FFFH)存放有 IC 出厂参数,用户在使用 过程中需避免对这些地址进行操作,以防修改出厂参数引起 MCU 功能异常. SC91F8301 的Flash ROM 通过 Pin4(ENB)、Pin8(CEN)、Pin5(CLK)、Pin7(DIO)、VDD、VSS 来进行编程,具体连接关系如下: Page

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64 V 1.4 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne SC91F8301 高灵敏度电容触控按键 LCD 8KB Flash MCU 5.2 CODE OPTION 区域(用户烧写设置) SC91F8301 内部有单独的一块 Flash 区域用于保存客户的上电初始值设置,此区域称为 Code Option 区域. 用户在烧写 IC 时将此部分代码写入 IC 内部,IC 在复位初始化时,就会将此设置调入 SFR 作为初始设置. IFB Bit-7 Bit-6 Bit-5 Bit-4 Bit-3 Bit-2 Bit-1 Bit-0 IFB1 - - - DISLVR LVRS[3:0] IFB2 - - - - IAPS - - - IFB3 - - - ENWDT - - IRCFS[1:0] IFB1 编号 符号 说明

4 DISLVR LVR 开关 0:LVR 有效 1:LVR 无效 3~0 LVRS [3:0] LVR 电压选择控制 1011: 3.65V 复位 1010: 3.50V 复位 0110: 2.75V 复位 0101: 2.60V 复位 此电压点的值为常温值,实际值随温度会发生一些变化(约±0.1V@- 40~85℃),具体表现为温度越高 LVR 电压点会下降,温度越低 LVR 电 压点会抬高. IFB2 编号 符号 说明

3 IAPS IAP 空间范围选择 0:仅1F00H~1FFFH 范围内可以 IAP 操作 1:8K 范围内可以 IAP 操作 IFB3 编号 符号 说明

4 ENWDT WDT 开关 0:WDT 无效 1:WDT 有效(但IC 在执行 IAP 过程中 WDT 停止计数) Page

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64 V 1.4 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne SC91F8301 高灵敏度电容触控按键 LCD 8KB Flash MCU

0 IRCFS[1:0] IRC 频率选择控制 00: IRC 频率为 ........