PDF《数据手册》

10 输入电压范围 ISL6440 设计的工作输入电源范围是 4.5V 到24V.而且, 输入电压范围受最大占空比(DMAX=93%)的限制. VIN ( min) = (

93 .

0 1 d OUT V V + ) + Vd2 - Vd1 其中, Vd1=电感放电路径上总的寄生电压降,包括下部 FET, 电感和 PC 板. Vd2=充电路径上总的电压降,包括上部 FET,电感和 PC 板的电阻. 最大输入电压和最小输出电压受最小接通时间(tON ( min)) 的限制. VIN (MAX) ≤ kHz t V ON OUT

300 (min) * 其中,tON(min)=30ns 门控逻辑 门控逻辑将生成的 PWM 信号转换为门驱动信号,提供放 大,电平移动和击穿保护.门驱动器电路可在更宽的工作范围 内帮助实现 IC 的最佳性能.MOSFET 的开关时间随着输入电压 和类型的不同而变化,门控逻辑通过监控上部和下部 MOSFET 的栅极波形来提供适合的死区时间.击穿控制逻辑提供 20ns 的 死区时间以确保上部和下部 MOSFET 不会同时导通,而发生击 穿. 门驱动器 低端门驱动器由 VCC5 供电,提供 400mA 的峰值吸收/ 源电流.高端门驱动器也能提供 400mA 的电流.上部 N 通道 MOSFET 的门驱动电压由快速电容器自举电路产生.BOOT 脚和PHASE 脚之间连接的自举电容为高端 MOSFET 驱动器供电 .为限制 IC 的峰值电流,需在 UGATE 脚和和外部 MOSFET 的栅极之间接一个外部电阻.这个小的串联电阻同时也抑制了 由电路板和 FET 输入电容上寄生电感引起的的振荡. 启动时,低端 MOSFET 导通,使PHASE 接地,以给 BOOT 电容充电至 5V.低端 MOSFET 断开后,高端 MOSFET 通过关闭 BOOT 和UGATE 之间的内部开关实现导通.这就提 供了所需的栅极-源极电压来导通上部 MOSFET,在VIN 脚上 产生 5V 的门驱动信号.驱动上部 MOSFET 所需的电流由内部 5V 调整器产生. 保护电路 转换器的输出被监控,受到过载,短路和欠压保护.输 出的持续过载使 PGOOD 变为低电平,启动 hiccup 模式. 两个 PWM 控制器都使用下部 MOSFET 的导通电阻,rDS ( ON),来监控转换器的电流.检测到的电压降与 OCSETx 脚和地 之间的电阻设置的门限相比较. ROCSET= ) )( ( ) )(

7 ( ) (ON DS OC CS R I R 其中,IOC 是规定的过流保护门限,RCS 是与 ISENx 脚相连 的电流检测电阻.如果下部 MOSFET 的电流超过了过流门限, 就会立刻检测到.如果过流持续

2 个时钟周期,则IC 进入 hiccup 模式,门驱动器断开,进入软启动.重新启动前,IC 在 软启动过程中要循环两次.IC 会在软启动中持续循环,直到过 流现象消除为止.图X显示了这一工作情况(图片待添加). 因为有电流检测技术这一特性,为适应 rDS (ON)较宽的变化 范围,过流门限的值应为最大工作电流的 150%到180%.如果 需要更精确的电流保护,则需在下部 MOSFET 的源极串联一个 电流检测电阻. 过热保护 IC 包括一个过热保护电路,可在模片温度达到 150℃时切 断电路.在软启动过程,当模片温度降至 130℃时,才恢复正 常工作. 反馈回路补偿 为了减少外部元件的数量,简化确定补偿元件的过程,两个PWM 控制器都有内部补偿误差信号放大器.为实现内部补........