PDF《功能描述》

当IS 脚直接接地时,设定最大峰值电流为 Ip_Max=700mA;

软启动: 上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和 次级整流管应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时初级峰值电流最大为 0.5 倍最 大峰值电流. 准谐振输出: 一个 PWM 周期由

3 部分组成: 1:电感充电(开关管开通)阶段,

1 * p p in L I T V = ;

2:电感放电阶段(开关管关闭)

2 * p p vor L I T V = ;

3:OC 谐振阶段,谐振周期为:

2 * p oc T L C π = . DK212――12W 高性能准谐振开关电源控制芯片 深圳东科半导体有限公司 Http:www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

5 芯片采用准谐振输出方式,当检测到 OC 谐振到最低电压时,开通 PWM 输出,打开 开关管给电感充电,这样减小了开关管的开关损耗,提高了电源的转换效率. FB 检测和反馈控制: Fb 引脚外部连接一只电容,以平滑Fb 电压,外接电容会影响到电路的反馈瞬态特 性及电路的稳定工作,典型应用可在1nF~10nF 之间选择;

芯片依据FB电压控制PWM输 出峰值电流和工作频率. SLEEP 模式: 为实现超低待机功耗,芯片设计了 SLEEP 模式时,当输出功率逐渐下降到 50mW 以 下时,芯片进入 SLEEP 模式.可以实现系统超低的待机功耗(Vor_Max, 立即关闭 PWM 输出 并进入异常保护模式.在光耦失效时,输出保护电压可通过下面公式计算: 45000* _ max * Lp Vo Vd RS N = ? Vo_max:输出保护电压 Lp: 初级线圈电感量 H RS: IS 电阻值Ω N: 初次级匝比 Vd: 次级整流管压降 V 在IS 接地使用内置电阻时,输出保护电压公式为: 86400* _ max Lp Vo Vd N = ? . 异常保护模式: 芯片进入异常保护模式后,关闭 PWM 输出,启动 800ms 定时器.在800ms 内,VCC 电压下降并维持 4.6V,800ms 后,芯片结束异常状态. DK212――12W 高性能准谐振开关电源控制芯片 深圳东科半导体有限公司 Http:www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

7 典型应用(5V2A 输出离线反激式开关电源) 元器件清单 序号 元件名称 规格/型号 位号 数量 备注

1 保险丝 T2A 250V F1

1 2 整流二极管 1N4007 D1~D4

4 3 二极管 FR107 D5

1 4 10U45 D6

1 6 电解电容 22uF/400V C1

1 22uF/10V C4

1 1000uF/10V C6

1 470uF/10V C7

1 7 电感 10uH/2.5A L2

1 8 电容 2A472J C3

1 102瓷片 C5

1 Y电容102 C8

1 104瓷片 C9

1 9 色环电阻 200K/0.25W R1

1 470 R2

1 2K2 R3 DK212――12W 高性能准谐振开关电源控制芯片 深圳东科半导体有限公司 Http:www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

8 10K R4

1 精度1% 9.3K R5

1 精度1% 20K R6

1 精度1% 0.54 Rs

1 精度1%

10 光耦 PC817C IC2

1 11 电压基准 TL431 IC3

1 12 IC DK212 IC1

1 13 变压器 EF20 T1

1 注意事项

1、功率器件是需要散热的,芯片的主要热量来自功率开关管,功率开关管与引脚 5678相连接,所以在PCB布线时,应该将引脚5678外接的铜箔的面积加大并作镀锡处理, 以增大散热能力.

2、芯片的5678引脚是芯片的高压部份,最高电压可达600V以上,所以在线路布置 上要与低压部份保证1.5mm以上的安全距离,以免电路出现击穿放电现象.

3、由于变压器不是理想器件,在制造过程中一定会存在漏感,漏感会影响到产品 的稳定及安全,所以要减小,漏电感应控制在电感量的8%以内,三明治绕线方式可以减 小漏感. 变压器设计(只作参考) 变压器设计时,需要先确定一些参数: (1)输入电压范围 AC85~265V (2)输出电压、电流 DC5.2V/2A 1:反激电压VOR选择: DK212中VOR最大值为133V,为防止干扰,输出保护电压应当大于输出电压的1.2倍, 即正常工作时Vor取值最大为:133/1.2=110V;