PDF《HT66Fx0 使用 ADC 所有功能》

0 / A N

0 P F

1 / A N

1 1

1 .

2 5 V V

1 2

5 E N B u f f e r P B

5 / V R E F V D D V R E F S V R E F

1 2 - b i t A D C B a n d g a p R e f e r e n c e V o l t a g e I n p u t V o l t a g e A C S

4 ~ A C S

0 A/D 输入结构 输入结构 输入结构 输入结构 HT66Fx HT66Fx HT66Fx HT66Fx0

0 0

0 使用 使用 使用 使用 ADC ADC ADC ADC 所有功能 所有功能 所有功能 所有功能

3 精确取样原理 精确取样原理 精确取样原理 精确取样原理 电源电压测量 电源电压测量 电源电压测量 电源电压测量 使能内建的 1.25V 参考电压,根据上面所述的 A/D 转化步骤,且通道选择为 1.25V 参考电 压.A/D 转化完毕,得到所取样的 A/D 值,记为 ADR1. 根据

1 25 .

1 212 ADR V VREF = ?

1 2 *

25 .

1 12 ADR V VREF 由于内建的 1.25V 参考电压对电源电压和温度不敏感,故而 1.25V 非常稳定.根据 VREF 是AVDD 还是由 PB5 输入的 VREF,可以得到一个受温度影响极小的准确的电压值.若VREFS 为LOW,则VREF 是AVDD,即可以得到一个精确的电源电压的压值. A/D 的精确取样 的精确取样 的精确取样 的精确取样 再根据上面所述的 A/D 转化步骤,通道相应的选择所要测量的通道.A/D 转化完毕,得到 所取样 A/D 值,记为 ADR2.所需测量的 PIN 的电压值为 V. 根据

2 212 ADR V VREF = 又根据上面,可得:

1 25 .

1 2 ADR V ADR V =

1 2 *

25 .

1 ADR ADR V V = 由上面介绍可知,内建的 1.25V 参考电压受温度、电源电压的影响极小,故而非常稳定, 所以由此得到 V 几乎不受温度、电源电压影响,极其准确. 以上公式①,②由应用开发人员可按实际需要,对取样得到的 A/D 值进行处理. 程序数据处理注意事项 程序数据处理注意事项 程序数据处理注意事项 程序数据处理注意事项 故而为了提高电压测量的准确性,可采取以下措施: ? 对通道扫描

2 的n次幂次, 并将所采样的 A/D 值相加. 所相加后的 A/D 值通过移位 n 位, 获取更加准确,稳定的 A/D 值.这样可以减小因为 A/D 转换误差,造成的误差. ? 对上面的公式应用中,最好先乘再除,并且在乘法的运算之前,将1.25V 放大

1000 倍, 或者更高.这样可以防止将包含重要信息的 A/D 取样值在除法运算过程中,因为余数的 原因,被忽略了,造成测量误差偏大. ? 针对内建的 1.25V 参考电压的特点,在使用时,最好对不同的 IC,用精确电源,先测下 内建的 1.25V 参考电压的实际电压,再将其作为参数写入程序中,这样可以提高测量的 准确性. HT66Fx HT66Fx HT66Fx HT66Fx0

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0 使用 使用 使用 使用 ADC ADC ADC ADC 所有功能 所有功能 所有功能 所有功能

4 A/D 使用步骤 使用步骤 使用步骤 使用步骤 HT66F40 MCU 的A/D 模块里增加了一个内建的 1.25V 电压. 利用该电路可以获取几乎不受 温度、电源电压影响的更加精准的 A/D 取样值.整个精准 A/D 取样步骤包括两个部分:一 是先对内建的 1.25V 参考电压通道进行 A/D 转换,将所得到的 A/D 取样值保存,作为其它 通道 A/D 取样的校准值.也可以通过公式①得到 VREF.二是对其他 AN0~AN7 pin 进行 A/D 取样,将所得到的 A/D 取样值根据公式②进行较准. 以下为对多通道精确 A/D 取样的使用步骤.应用开发人员根据实际需求相应调整.若应用 电路电源电压温度,或者不需要精确 A/D 取样,可以省略对内建的 1.25V 参考电压的取样 步骤. 步骤一:对ADCR1 的VREFS 设置,选择 A/D 转化的参考电压.0 为VDD;