PDF《ELECTRONIC GIANT》

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0 0 屹晶微电子有限公司 EG3014 芯片数据手册 V1.0 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

2012 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com

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12 从真值表可知,当输入逻辑信号 HIN 为

1 和LIN 为

0 时,驱动器控制输出 HO 为

1 上管打开, LO 为

0 下管关断;

当输入逻辑信号 HIN 为

0 和LIN 为

1 时,驱动器控制输出 HO 为

0 上管关断, LO 为

1 下管打开;

在输入逻辑信号 HIN 和LIN 同时为

0 或同时为

1 情况下,驱动器控制输出 HO、 LO 为

0 将上、下功率管同时关断;

内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通,具有相互闭 锁功能. 8.3 自举电路 EG3014 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计,只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N 沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动,给实际应用带来极大的方便.EG3014 可以使用 内部自举二极管或外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能, 假定在下管开通、 上管关断期间 C 自举电容已充到足够的电压(Vc=VCC) ,当HO 输出高电平时上管开通、下管关断时,VC 自 举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和VS 的电源,完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动. 图8-3. EG3014 自举电路结构 屹晶微电子有限公司 EG3014 芯片数据手册 V1.0 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

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12 9.封装尺寸 9.1 SO8 封装尺寸 ........