PDF《数字步进衰减器（DSA）》

产品系列的特性与优势: ? Glitch-Free ? 技术: - 将瞬态毛刺减少达 95% - MSB 转换过程中过冲振铃小于 0.

6 dB ? 典型步进误差约为 0.1 dB ? 典型绝对衰减误差为 ± 0.2 dB ? 低插入损耗:在2GHz 的典型值为 1.2 dB ? 超低失真器件:典型 IP3 为+65 dBm ? 半导体芯片技术 ? 极为强大的功率处理能力:压缩点超 过34 dBm ? 支持 50Ω-75Ω 的电阻 IDT 数字步进衰减器 (DSA) 极为精确,能够将 DSA 衰减值精调到所需的精确水平. 在-40?C - +105?C 的温度范围内,步长和绝对精度保持变化,有助于客户简化其软件 接口.DSA 借助 Glitch-Free 技术,可实现 400ns 的典型建立时间,理想适用于敏捷的 TDD 系统.这些器件都是双向的,具有超凡的功率处理能力,105?C 下连续额定功 率高达

28 dBm,且压缩点超过

34 dBm. 低插入损耗: IDT DSA 在2GHz 下的典型插入损耗仅为 1.2 dB.低插入损耗能够提高 整体系统性能以及数据吞吐量,有助于提升接收器灵敏度并最大程度减少发送器 路径中不必要的信号损耗. 低IM3 失真:干扰信号会生成互调 (IM) 产物,降低系统的有效信噪比 (SNR) 和信号 吞吐量.4G LTE、CATV 基础架构以及光纤接入网络等应用领域具有严格的线性要 求,旨在实现较高的系统数据速率,从而大大增加了对高线性 RF 组件的需求,以 最小化 IM3 失真.IDT DSA 为超低失真器件,其典型 IP3 仅为 +65 DBM,因此是要求 高线性的应用(例如 4G LTE)的理想选择. 数字步进衰减器(DSA) IDT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY RF 数字步进衰减器系列简介 IDT 的Glitch-Free 专利技术能将最高 有效位 (MSB) 在转换过程中的瞬态 "毛刺" 减少达 95%,从而消除在 发送和(或)接收路径中的衰减 建立过冲(毛刺) ? MSB 转换过程中过冲振铃小于 0.6 dB,同类竞争 性DSA 则截然不同,其在 MSB 转换过程中的毛 刺干 扰高达

10 dB ? 使客户能够简化软件接口,提高可靠性,防止贵 重配件(例如功率放大器)受损,并限制数据转 换器输入超出额定范围.

1 如欲了解有关 IDT RF 产品、专利技术的更多详情,或申请样 片,敬请访问: idt.com/go/rf 半导体芯片技术 IDT 的DSA 采用半导体芯片技术,与砷化镓 (GaAs) 等其他技 术相比更具优势. 芯片的优势 ? 制造稳健可靠性包括: - 更高的抗静电放电 (ESD) 性能 - MSL1 级湿度敏感性 ? 随温度变化,具有出色的 RF 性能,电流消耗极低 ? 与砷化镓相比具有更高的可靠性 ? 采用更简单的封装结构,实现更高的集成度,从而提升散热性 能并降低总成本 ? 数字步进衰减器 IDT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY OV_RF_DSA_REVB_0216

2 如欲了解有关 IDT RF 产品、专利技术的更多详情,或申请样片,敬请访问: idt.com/go/rf 部件号 ZO 分辨率 衰减范围 频率范围 (MHz) 封装 F1951

50 0.5 dB

0 to 31.5 dB

100 to

4000 4 x

4 mm 24-TQFN F1950

50 0.25 dB

0 to 31.75 dB

150 to

4000 4 x

4 mm 24-TQFN F1953

50 0.5 dB

0 to 31.5 dB

400 to

4000 4 x

4 mm 20-TQFN F1956

50 0.25 dB

0 to 31.75 dB

1 to

4000 5 x

5 mm 32-QFN F1912

50 0.5 dB

0 to 31.5 dB

1 to

4000 4 x

4 mm 20-TQFN F1975

75 0.5 dB

0 to 31.5 dB

5 to

3000 4 x

4 mm 20-TQFN F1977

75 0.25 dB

0 to 31.75 dB

5 to

3000 5 x

5 mm 32-QFN Decoder IDT 与IDT 徽标均为 Integrated Device Technology, Inc. (IDT) 公司在美国及其他国家的注册商标.所有其他商标均为各自所有者的财产. ?