PDF《习题课 习题课》

5、2.3.6 ib vb'e RB rb'e C b'e rbb' ′′ b e - - m g vb'e + vo + ic c vS RS R'L CM C' M Ci RS′ vO T RB vS RC RL VCC 题图 2.3.5 C1 C2 + _ + _ Rs ( ) [ ] ( ) S S B b b e b S c b T m c b T e b e b L C L bc L m e b M e b //

20 1 .

0 //

1 // // pF

8 .

37 2

2 1 k

2 //

1 R R R r r R C f g C f r C R R R C R g C C C Ci + = + = ′ = ? ≈ ? + = ? = = ′ ′ ′ + + = + = ′ ′ ′ ′ ′ ′ ′ ′ , , , π π β 习题课

18 清华大学电子工程系李冬梅 vO T RB vS RC RL VCC 题图 2.3.5 C1 C2 + _ + _ Rs VS C1 C2 ' RS rbb' RB rb'e RC RL ( ) ( ) ( ) Hz

0 .

9 22

1 2 .

2 04 .

1 2

1 //

2 1

2 L C L2 S

1 be B S L1 = + = * + = + = C R R f R C r R R f , π π 题2.3.

5、2.3.6 习题课

10 19 清华大学电子工程系李冬梅

四、电流源 电流源的输出电阻 题2.6.3 (略) 题2.6.4 R'作用:为T'发射极提供电流通路, 保证β,从而提高镜像精度 T1 T2 IR Rr IO VCC RE1 RE2 ( ) ) r R //( R R R R r R

1 r R D

1 E r B

2 E B be

2 E

2 ce O + = ? ? ? ? ? ? + + + ≈ β 习题课

20 清华大学电子工程系李冬梅 G i v gs mv g rds S o v D RD bs mbv g vI RD VDD vO VG M ii D ds o i i mb m o R r v v v g g v ] / ) ( ) [( ? + + = ds D D ds mb m v r R R r g g A /

1 ) /

1 ( + + + = 时, 当Dds R r >> D mb m v R g g A ) ( + ≈ i v o ds o i mb m i i v A v r v v g g v i = ? + + = / ) ( ) ( { ds mb m D mb m ds mb m D ds i i i r g g R g g r g g R r i v R ) (

1 ) (

1 + + + ≈ + + + = = ds D o r R R // =

第三章-3.2 MOSIC的单级放大电路 3.共栅(CG) 3.2.2 MOS管三种组态基本放大电路(续)

11 21 清华大学电子工程系李冬梅 3.2.3 MOS有源负载 1. 增强型MOS管(E)有源电阻 vDS Q iD

0 vGS= vDS vGS= vDS gmbVbs rds gmVgs Vds Vgs + + - - G B D 等效电阻 m ds mb m g

1 r // g

1 // g

1 r ≈ = 2. 耗尽型MOS管(D)有源电阻 vDS Q iD

0 vGS=0 G S gmbVbs Vds + - B D rds ds mb r // g

1 r = iD r VDD iD r VDD

第三章-3.2 MOSIC的单级放大电路

22 清华大学电子工程系李冬梅 3.2.4 基本放大单元电路 1. E/D放大电路 T2 T1 v1 v0 VDD gm1Vgs1 Vds + - + - Vi =Vgs1 r rds1 ?直流工作点设置 ?交流参数 ?小信号等效电路 Ro= rds1//r = rds1//rds2// (1/ gmb2) RL′= rds1//r = rds1//rds2// (1/ gmb2 ) ? ? ? ? ? ? ? ? ? = ? =

2 mb

2 ds

1 ds

1 m ' L

1 m V g

1 // r // r g R g A

第三章-3.2-3.2.4 基本放大单元电路

12 23 清华大学电子工程系李冬梅 2. E/E放大电路 T2 T1 v1 v0 VDD gm1Vgs1 Vds + - + - Vi =Vgs1 r rds1 Ro= rds1//r ? ? ? ? ? ? ? ? ? = ? =

2 mb

2 m

2 ds

1 ds

1 m ' L

1 m V g

1 // g

1 // r // r g R g A

2 mb

2 m

2 ds g

1 // g

1 // r r =

2 mb

2 m

2 ds

1 ds

1 ds ' L g

1 // g

1 // r // r r // r R = =

第三章-3.2 -3.2.4 基本放大单元电路

24 清华大学电子工程系李冬梅 3.CMOS放大电路 T2 T1 v1 v0 VDD VG 电路组成 管子工作状态和条件 cνI >VGS(th)1,νO ≥νI -VGS(th)1 dνGS2 = VG-VDD < VGS(th)2 VBS=0 无背栅(衬底调制)效应 gm1Vgs1 Vds + - + - Vi =Vgs1 rds2 rds1 1. 小信号特性 AV = - gm(rds1//rds2) Ro= rds1//rds2

第三章-3.2 -3.2.4 基本放大单元电路