编辑: hys520855 2013-09-08

'

为极化电荷, # 为电子电 量, ( 和 ) 分别为空气和 *'

$+, 的介电常数, # #- 为肖特基势垒高度, !$. 为导带不连续性, ! 为*'

$+, 掺杂浓度, % 和%&

分别为 *'

$+, 层总厚度和 空间隔离层的厚度/从上式看出, 提高势垒高度会减 小! #$ 密度/在'

0( 测量中所加的反向偏压较小 时出现一个电容平台, 随着反向偏压的增大 ! #$ 被耗尽后电容变得很小, 这里我们采用: 当'

0( 曲 线由高变低时所加的电压为 ! #$ 耗尽电压/从图

1 可以看出, ! #$ 的耗尽电压绝对值随退火温度增 大而变小, 即表明 ! #$ 密度的减小/ 而图

1 内的插 图为 '

0( 曲线在 2((3和1((3退火后与未退火的 曲线比较, 由图看出提高退火温度使曲线向右移动, 根据传输线模型测试计算得到退火后材料方块电阻 和欧姆接触电阻未发生变化, 而退火后 '

0( 曲线的 右移即耗尽电压的减小应归结为肖特基势垒高度的 提高/ 通过对退火后肖特基金属形貌 4#5 观察, 发现1((3退火后表面有少量起泡现象而 2((3未出 现/根据图

6 和图

1 的插图可以看出当退火温度从 2((3提高到 1((3时, 肖特基特性未发生明显改善, 所以采用 2((3 ,! 中退火

2789 不但能使肖特基特 性得到较大改善而且表面形貌也很好/ 6: 结论采用 ;

! 等离子 体及 ?@ 溶液对 异质结表面进行处理 后, ,8=*A 肖特基接触特性比未处理有了明显改善, 反向泄漏电流减小 B 个数量级, 因而表面处理方法 明显改善了肖特基接触性能/ 对采用表面处理和未 采用表面处理的材料进行 !((―1((3退火

2789 后 发现: 未经处理的肖特基在退火后反向漏电减小更 明显, 这是由于 ,8 向*'

$+, 表面扩散改善了未经表 面处理的肖特基接触质量;

而采用 >

! 等离子体 C ?@ 对表面进行处理的材料已有较好的肖特基接触 性能, 所以退火后改善不明显/ 1((3退火后肖特基 二极管在不同频率下测得的 '

0( 曲线一致性变好, 表明退火中 ,8 对*'

$+, 表面的陷阱的填充减小了 陷阱密度, 而退火后肖特基二极管 '

0( 特性曲线随 退火温度增大向右移动 (即二维电子气耗尽电压绝 对值的减小) 证实了肖特基势垒的提高/ 但是 1((3 退火后肖特基金属表面会有少量起泡现象, 因而采 用2((3 ,! 退火

2789 既能达到较好的退火效果而 且保证表面形貌平整/ [)] DEFG H I,4J89

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/ ! )21) [!] HA7P+9LQFR

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