PDF《建设项目环境影响报告表》

9 后备 液氮储罐

1 台30m3

5 10 系统 气化器

1 套 汽化能力 1200Nm3 /h

11 低温低压保护装置

1 套 非标,普莱克斯自制

12 过滤器

2 台AF1740A/B

四、市政设施 拟建项目所在地周围的市政设施完备,市政条件好. 供水:本项目无新增用水.项目不新增员工,无新生活用水;

项目制氮设备制备 的氮气部分冷凝回流以满足工艺设备冷却需求,无需其它冷却介质. 排水:项目无新增生活污水排放;

生产排水主要为空气净化气水分离过程产生的 极少量废水,该部分废水为清净下水,直接经厂区现有污水管网排入北京金源经开污 水处理有限责任公司污水处理厂,排放量约 0.6t/d. 供电:由当地的供电局电力系统提供. 供暖、制冷:项目无供暖、制冷设施.

五、附图 附图

1 建设项目地理位置图;

附图

2 建设项目周边关系及噪声监测点位卫星示意图;

附图

3 建设项目平面布置图. 与本项目有关的原有污染情况及主要环境问题: 本项目为扩建项目,威讯联合半导体(北京)有限公司原有项目情况如下:

1 期项目:威讯联合半导体(北京)有限公司成立于

2001 年8月,该公司于

2001 年11 月26 日取得《关于威讯联合半导体(北京)有限公司项目环境影响报告表的批 复》 (京技环字[2001]第158 号) ,建设

1 幢厂房、总建筑面积 7797.82 平方米,主要 从事射频放大器生产、年处理模块 36000kg;

厂房扩建:于2005 年6月10 日取得《关于威讯联合半导体(北京)有限公司厂 房扩建项目环境影响登记表的批复》 (京技环字[2003]第87 号) ,在原有多功能厅一层 上加建一层, 建筑面积

942 平方米, 主要从事芯片测试 (性能测试、 高低温老化测试) , 年测试量约 1.08 亿粒芯片;

2 期项目:于2006 年8月24 日取得《关于威讯联合半导体(北京)有限公司高 级测试封装厂项目环境影响报告书的批复》 ,在原项目西北侧空地新建高级测试封装

6 厂房,总建筑面积 22442.27 平方米,主要从事射频放大器生产、年产量约 5.4 亿个. 威讯联合半导体(北京)有限公司原有污染物主要有运营过程中产生的燃气锅炉 废气、工艺废气、工业废水、生活污水、生产垃圾、生活垃圾、设备运行噪声. 根据威讯联合半导体(北京)有限公司原项目环评、验收情况、及2017 年12 月 厂区各污染物排放监测数据报告,公司原有污染物治理措施及排放情况汇总见表 4: 表4威讯联合半导体(北京)有限公司原有污染情况及排放情况汇总表 污染类型 排放源 污染物名称 污染治理措施 排放浓度(排放量) 大气污染 物1期燃气锅炉 颗粒物 SO2 NOx 低氮燃烧器+15 米排气筒高 空排放 1.0mg/m3 (8.26*10-4 kg/h)