编辑: 学冬欧巴么么哒 2013-10-16
SC91F722 带10 位ADC 的宽电压 1T

8051 内核 Flash MCU SinOne Chip 目录 目录.

1

1 总体描述

4 2 主要特色

4 3 管脚定义

5 3.1 管脚配置

5 3.2 管脚定义

6 4 内部方框图.8

5 FLASH ROM 和SRAM 结构.9 5.1 flash rom

9 5.2 Code Option 区域(用户烧写设置)10 5.3 sram.10

6 特殊功能寄存器(SFR)12 6.1 SFR 映像

12 6.2 SFR 说明

12 7 电源、复位和时钟

14 7.1 电源电路

14 7.2 上电复位过程

14 7.3 复位方式

15 7.3.1 外部 RST 复位

15 7.3.2 低电压复位 LVR.15 7.3.3 上电复位 POR.16 7.3.4 软件复位

16 7.3.5 看门狗复位 WDT

16 7.3.6 复位初始状态

16 7.4 时钟电路

17 7.5 省电模式 STOP.18

8 中央处理单元 CPU 及指令系统.18 8.1 CPU.18 Page

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58 V 1.3 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F722 8.2 寻址方式

18 8.2.1 立即寻址

18 8.2.2 直接寻址

18 8.2.3 间接寻址

18 8.2.4 寄存器寻址

19 8.2.5 相对寻址

19 8.2.6 变址寻址

19 8.2.7 位寻址

19 8.3 指令系统.19

9 INTERRUPT 中断

22 9.1 中断源、向量.22 9.2 中断结构图.23 9.3 中断优先级.23 9.4 中断处理流程.24 9.5 中断相关 SFR 寄存器.24

10 定时器 TIMER0 、TIMER1

26 10.1 T0 和T1 相关特殊功能寄存器

26 10.2 T0 工作模式.28 10.3 T1 工作模式.29

11 PWM

31 11.1 PWM 结构框图.32 11.2 PWM 相关 SFR 寄存器.33 11.3 PWM 波形及用法.35 11.4 两路互补带死区 PWM 实现方法.37 11.5 PWM 频率高精度步进调整实现方法.40

12 GP I/O.42 12.1 GPIO 结构图

42 12.2 I/O 端口相关寄存器.44 12.3 I/O 端口复用.45 Page

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13 模数转换 ADC.46 13.1 ADC 相关寄存器.46 13.2 ADC 转换步骤.48

14 软件 UART.48

15 IAP 操作.49 15.1 IAP 操作相关寄存器.49 15.2 IAP 操作流程.50 15.3 IAP 读写范例程序.51

16 电气特性.52 16.1 极限参数

52 16.2 推荐工作条件

52 16.3 直流电气特性

52 16.4 交流电气特性 (VDD = 2.5V ~ 5.5V, TA = 25℃, 除非另有说明)53 16.5 ADC 电气特性 (TA = 25℃, 除非另有说明)53 16.6 ADC 实测曲线图.54

17 订购信息.55

18 封装信息.56

19 规格更改记录

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58 V 1.3 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F722

1 总体描述 SC91F722 是一颗加强型的超快速 1T

8051 工业级 Flash 微控制器,指令系统完全兼容传统

8051 产品系 列.SC91F722 内部集成有 4KB Flash ROM(内部 256Byte 可作为 EEPROM)、256B SRAM、最多

18 个GP I/O(包含

8 个大电流驱动)、2 个16 位定时器、9 路10 位高精度 ADC、2 路可切换输出管脚的

8 位PWM、内部 1%高精度 16M/8M/4M/1M Hz 振荡器、软件 UART 等资源.为提高可靠性及简化客户电路,SC91F722 内部也集 成有

4 级可选电压 LVR、2.4V 基准 ADC 参考电压、WDT 等高可靠电源电路.SC91F722 具有非常优异的抗干扰 性能,非常适合应用于电饭煲、电压力锅、面包机等各种小家电和充电器、电源、航模、对讲机、无线通讯等工 业控制和消费应用领域.

2 主要特色 ? 工作电压: 2.4V~5.5V ? 工作温度: -40 ~

85 度?封装: DIP20L 、SOP20L ? 内核: 超快速的 1T

8051 ? 存储器: 4KB Flash ROM(MOVC 禁止寻址 0000H~00FFH), 其中包含 256B 可IAP 256B SRAM ? 系统时钟: 内建 16M/8M/4M/1M Hz 振荡器 ? IC 工作的系统时钟,可通过编程器选择设定 ? 频率误差: 跨越 (4.0V~5.5V) 及(-20 度,

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