PDF《利用全型、小型及微型系列 DC-DC 转换器 设计高功率阵列》

33 nF 陶瓷电容,见图 4.有这选择是因为 这个陶瓷电容数值约为该较大电容的五分之一,因此 其低频作用可不予理会.图13 所显示为最终旁路网 络的效果. 电磁干扰 (EMI)!! 把阵列中每个模块的输入高频旁路;

可以把传导噪声 泄去系统其它部份前将之衰减,大大减少了电磁干扰 滤波的需要.要得出最佳的输入旁路,最简单的方法 就是对几个模块进行测试.例如,图11 显示的就是 两个没有旁路的模块输入波形.!! 虽说大多数的高频噪声已被衰减,但该振环仍是不理 想的,用串联阻尼来衰减这振环.计算出该

200 kHz 振频之特征阻抗,可找出该阻尼电阻的起始值: 图13 两个模块带有 0.15 μF 薄膜电容串有 6.8 ? 阻尼电阻组成的差模旁路, 另加一个

33 nF 的差模旁 路后的输入开关噪声 图11 两个没有外部差模旁路电容的模块输入 开关噪声 图12 两个有 0.15 μF 薄膜差模旁路的模块输入 开关噪声 ........