PDF《N256 模块 硬件设计手册》

7 物理特性 尺寸:17.6*15.7*2.3 mm 重量:1.3g 固件升级 通过串口升级 天线接口特征阻抗 50欧姆 备注: 1. 1) 在工作温度范围内,模块符合 3GPP 标准. 1.3. 功能框图 下图为N256主要功能框图: 图1: 功能框图 N256 模块_硬件设计手册

8 2. 功能与应用 2.1. 引脚分布图 图1:引脚分布图 N256 模块_硬件设计手册

9 2.1.1. 引脚描述 表2: I/O 参数定义 表6:引脚描述 电源 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 VBAT

34、35 PI 模块供电电源: VBAT=2.1V~3.63V VImax=3.63V VImin=2.1V VInorm=3.3V 在Burst模式 下电源输出至 少1.5A负载电 流VDD_ EXT

40 PO 输出 2.8V 用于外部供电 1. 如果不用 则悬空. 2. 如果用这 个管脚给外部 供电,推荐并 联一个 2.2~4.7uF 的 旁路电容. GND

8、

13、

19、

21、

27、

30、

31、

33、 地 类型 描述 IO 输入/输出 DI 数字输入 DO 数字输出 PI 电源输入 PO 电源输出 AI 模拟输入 AO 模拟输出 N256 模块_硬件设计手册

10

36、37 开关机 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 PWRKEY

39 DI 拉低 PWRKEY 一段规定 时间来开机或者关机 VILmax=0.1*VBAT VIHmin=0.6*VBAT VIHmax=3.1V 模块状态指示 引脚名 引脚序号 输入/ 输出 描述 DC 特性 NETLIGHT

41 DO 网络状态指示 VOHmin=0.85*VDD_EXT VOLmax= 0.15*VDD_EXT STATUS

42 DO 运行状态指示灯 VOHmin=0.85*VDD_EXT VOLmax= 0.15*VDD_EXT 串口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 UART1_TXD

1 DO 模块接收数据 VILmin=0V VILmax= 0.25*VDD_EXT VIHmin= 0.75*VDD_EXT VIHmax= VDD_EXT+0.2 VOHmin= 0.85*VDD_EXT VOLmax= 0.15*VDD_EXT 如果通讯只用 到TXD,RXD 和GND, 建议 其他脚悬空. UART1_RXD

2 DI 模块发送数据 UART1_DTR

6 DI DTE 准备就绪 UART1_RI

7 DO 模块输出振铃提示 UART1_DCD

5 DO 模块输出载波检测 UART1_CTS

4 DO 模块清除发送 UART1_RTS

3 DI DTE 请求发送数据 调试串口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 UART2_TXD

22 DO 发送数据 同上 不用则悬空. UART2_RXD

23 DI 接收数据 不用则悬空. 辅助串口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 UART0_TXD

25 DI N256 模块_硬件设计手册

11 UART0_RXD

26 DI SIM 卡接口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 VSIM

18 PO SIM 卡供电电压 模块自动选择 1.8V 或3.0V SIM_SIO

15 DO SIM 卡时钟线 VOLmax= 0.15*SIM_VDD VOHmin= 0.85*SIM_VDD SIM 卡接口建 议使用 TVS 管ESD 保护,SIM 卡座到模 块最长布线不 要超过200mm. SIM_SCLK

16 IO SIM 卡数据线 VILmax= 0.25*SIM_VDD VIHmin= 0.75*SIM_VDD VOLmax= 0.15*SIM_VDD VOHmin= 0.85*SIM_VDD SIM_ SRST

17 DO SIM 卡复位线 VOLmax= 0.15*SIM_VDD VOHmin= 0.85*SIM_VDD SIM_DET

14 I SIM卡检测线 VILmin =0V VILmax = 0.25*VDD_EXT VIHmin = 0.75*VDD_EXT VIHmax = VDD_EXT+0.2 模数转换接口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 ADC

38 AI 模数转换器接口 电压输入范围: 0-1.4V 不用则悬空. 天线接口 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 ANT

32 IO NB-IOT 天线接口

50 欧姆特性阻抗 其它接口 N256 模块_硬件设计手册

12 引脚名 引脚号 I/O 描述 DC 特性 备注 RF_SYNC

29 O 射频发射同步信号 RTC_EINT

9 I/O 睡眠模式下中断唤醒脚 RTC_GPIO0

10 I/O 睡眠模式使用 GPIO GPIO1

11 I/O GPIO1 GPIO2

12 I/O GPIO2 2.2. 电源供电 2.2.1. 电源特性 在N256 模块应用设计中,NB-IOT 的电源设计是很重要的一部分.在最大发射功率等级下模块的峰值 电流会达到 1.5A,这会引起 VBAT 端电压的跌落.为确保模块能够稳定正常工作,建议模块 VBAT 端的最 大跌落电压不应超过 400mV. 2.2.2. 减少电压跌落 2.2.2.1. 减少 VBAT 电压跌落 VBAT 电压输入范围为 2.1V~3.63V.为保证 VBAT 电压不会跌落到 2.3V 以下,在靠近模块 VBAT 输 入端, 建议并联一个低 ESR(ESR=0.7Ω)的100uF 的钽电容, 以及 100nF、 33pF (0603 封装) 、 10pF (0603 封装)滤波电容,VBAT 输入端参考电路如下图所示.并且建议 VBAT 的PCB 走线尽量短且足够宽,减小 VBAT 走线的等效阻抗, 确保在最大发射功率时大电流下不会产生太大的电压跌落. 建议 VBAT 走线宽度不 少于 2mm,并且........