PDF《应用领域》

115 ― kHz DOSC 振荡器占空比 ( 图2)VDD=0.9*VOUT,于EXT 引脚测量

65 75

85 % η 效率 ― ―

85 ― % 注:极限参数表示超过此界限可能将对芯片造成损害.建议工作范围表示芯片可正常工作的条件,但不 包含特定限制条件.表格中的规格仅保证在所列测试条件下有效.

1 EXT OUT GND HT77xxC L1: 47μH (Coil Inductor) D1: 1N5817 C1: 47μF (Ceramic) C2: 22μF (Ceramic) Rb: 300Ω Cb: 10nF ZXTN25020CFH VIN VOUT IIN CE EXT OUT GND HT77xxC CE VDD IDD IEXT EXT OUT GND HT77xxC CE V(EXT) VDD IDD

2 Rev. 1.10

5 2018-08-02 典型性能特性 VIN=0.6*VOUT,CIN=47?F,COUT=22?F,L=47?H,Ta=25?C,除非另有说明 HT7733C 效率 vs. 输出电流 HT7750C 效率 vs. 输出电流 HT7733C IDD vs. Ta HT7750C IDD vs. Ta HT7733C启动 / 保持电压 HT7750C 启动 / 保持电压 RP vs. VDD RN vs. VDD Rev. 1.10

6 2018-08-02 VIN=0.6*VOUT,CIN=47?F,COUT=22?F,L=47?H,Ta=25?C,除非另有说明 HT7733C 负载瞬态 (1mA~50mA) HT7750C 负载瞬态 (1mA~50mA) HT7733C 负载瞬态 (1mA~100mA) HT7750C 负载瞬态 (1mA~100mA) HT7733C 线性瞬态 (1V~2V, IOUT=50mA) HT7750C 线性瞬态 (3V~4V, IOUT=100mA) HT7733C 电源 ON/OFF (IOUT=50mA) HT7750C 电源 ON/OFF (IOUT=50mA) Rev. 1.10

7 2018-08-02 VIN=0.6*VOUT,CIN=47?F,COUT=22?F,L=47?H,Ta=25?C,除非另有说明 HT7733C 工作 (IOUT=0mA) HT7750C 工作 (IOUT=0mA) HT7733C 工作 (IOUT=100mA) HT7750C 工作 (IOUT=100mA) HT7733C 芯片使能 / 除能 HT7750C 芯片使能 / 除能 Rev. 1.10

8 2018-08-02 元器件选择 功率电感器 对于大多数应用,建议使用 47μH 或更大值 的电感,以保持低输出纹波电压.增加电 感值将产生较低的输出纹波电压.建议选 择一个典型值小于 1Ω 的DCR 以降低效率 损失.否则,所选择的电感饱和电流典型 值应该大于等于 1A,且高于其峰值电流. 肖特基二极管 二极管的击穿电压额定值应大于最大输出电 压.二极管额定电流建议等于或大于 1A. 输入电容 VIN 和GND 引脚之间需连接一个低 ESR 的陶瓷电容,CIN.使用具有低 ESR 特性 以及较小的温度系数的 X5R 或X7R 电解 质陶瓷电容.对于大部分应用,选择一个 47μF 的电容已足够. 输出电容 输出电容 COUT 的选择取决于所允许的最 大输出电压纹波.使用具有低 ESR 特性 的X5R 或X7R 电解质陶瓷电容. 使用22μF~100μF 范围内的电容,具有 1? 或更 小的 ESR.对于大多数应用,通常建议使 用一个 22μF 的电容. 空载条件下的纹波改善电阻 强烈建议加一个纹波改善电阻 R1,以确保 空载情况下开关的稳定性.R1 值建议为 0.15Ω.注意,此电阻虽然在空载情况下可 提升纹波性能,但在重载情况下将产生更 高的纹波电压. 外部功率元件 使用低阻值 RDS(ON) 功率元件可获得更好的 转换效率.建议外部采用 MOSFET 时选择 ZXMN2B14FH 或AFN2306A,外部采用双 极晶体管时选择 ZXTN25020CFH. PCB 布局注意事项 为了减少传导噪声,关于 PCB 布局的重要 注意事项如下: ? 输入旁路电容必须放置在靠近 VIN 引脚 处. ? 电感、肖特基二极管和输出电容的走线 应尽可能短,以减少传导和辐射噪声, 并提高整体效率. SOT23-5 PCB 布局范例 SOT89 PCB 布局范例 EXT OUT GND HT77xxC L1: 47μH~100μH (Coil Inductor) D1: 1N5817 C1: 47μF (Ceramic) C2: 22μF (Ceramic) R1* CE OFF ON * R1=0.15Ω is recommended to improve ripple performance Rb: 300Ω Cb: 10nF ZXTN25020CFH VIN VOUT Rev. 1.10

9 2018-08-02 温度注意事项 最大功耗取决于 IC 封装的热阻、PCB 布局、周围气流速率以及结与环境之间所允 许的温差.最大功耗可以由下列公式计算: PD(MAX)=(TJ(MAX) C Ta)/θJA (W) 其中,TJ(MAX) 表示最大结温,Ta 是环境温 度,θJA 是结到环境的热阻. 最大工作额定条件下的最大结温为150?C. 然而在正常工作下为了确保高稳定性,建 议最大结温不要超过 125?C.结到环境的热 阻θJA 则取决于布局.例如,5-pin SOT23 封装的热阻 θJA 为500?C/W.Ta=25?C 时的 最大功耗可通过下列公式计算: PD(MAX)=(150?C C 25?C)/(500?C/W)=0.25W 当最大结温固定为 150?C 时,最大功耗取 决于工作环境温度以及封装的热阻 θJA.下 面的降额曲线体现了环境温度上升对最大 推荐功耗的影响.