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2 半导体晶圆及集成电路工艺分析设备 适用晶圆2 ~8 /300~800μm 量测种类包括:Silicon Wafers, GaAs Epi, GaN, GaP, ITO, Metal Layers 量程范围: 量测种类包括:Silicon Wafers, GaAs Epi, GaN, GaP, ITO, Metal Layers, AgNW, Nx2O5, CNT 适用晶圆尺寸:2 ~8 /300~800μm 可测量P/N极性 具温度补偿功能 多个量程探头可选 标准测试台适用产品尺寸为2 ~8 (尺寸亦可客制化设计) 非接触式面电阻测试仪 Napson EC-80/EC-80P EC-80P EC-80 EC-80 桌上型非接触电阻率量测 EC-80P便携型非接触电阻率量测 测量参数 超薄晶圆的厚度、弯曲度及翘曲度 晶圆上膜层的应力 Saw frame晶圆之各层厚度、总厚度、 弯曲度及翘曲度 可呈现2D及3D的数据图形 适用晶圆及材料

3 ~12 英寸半导体晶圆 III-V族晶圆:GaAs、Ge、InP、GaN… 特殊晶圆: 蓝宝石Sapphire、石英Quartz、玻璃Glass、SiC、SOI硅片… Stacks of Wafers,Wafer on fame、Taped Wafer及Mounted Wafer 膜厚,TTV, Bow、Warp测试、Bending测试 高精度测量ITO膜,金属膜(RT-70V/RG-5/RG-7S)、纳 米银丝 测试硅晶圆扩散层或金属层的电阻系数及面电阻的电阻 值(RT-70V/RG-5/RG-7) 标准电阻测量精度优于±0.1% (0.01Ω~1MΩ) 重复性优于±0.2%(NIST标准片) 各种针粗与针压可解决破片、隐裂、压痕等问题 可用手持探头作Ingot测量,也可用RG-10平台自动测Ingot 手动四点探针测试仪 Napson RT-70V/RG-5/RG-7/RG-7S/RG-10 量测种类包括:Silicon Wafers、Diffused Wafers、 Ion-implanted Wafers、Epitaxial Layers、Metal Films 具图谱软件功能,可作2D/3D图形 具厚度/边缘/温度补偿功能 全覆式暗箱测试屏蔽周围环境干扰 可通过计算机控制 内含温度传感器 可量测尺寸:2 ~8 Φ,晶圆或156mm电池片 半自动四点探针测试仪 Napson Cresbox Low: Middle: 0.01~0.5Ω/ 0.5~10Ω/ High: S/High: 10~1,000Ω/ 1,000~3,000Ω/ 应用于SiC/GaN/Si IGBT/MOFFET/Diode等功率 半导体器件的动静态测试 系统自身寄生电感........