PDF《16位、1.33 MSPS PulSAR ADC》

6 删除图5标题中的尾注1.7 更改图21.12 删除电路信息部分的尾注1.12 更改图41标题

24 更改订购指南

24 2007年11月―修订版0:初始版 Rev. A | Page

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24 表2. 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 分辨率

16 位 模拟输入 电压范围 IN+ ? IN?

0 VREF V 绝对输入电压 IN+ ?0.1 VREF + 0.1 V ? N I ?0.1 +0.1 V 模拟输入CMRR fIN =

100 kHz

60 dB1

25 时漏电流 采集阶段

1 nA 输入阻抗 参见模拟输入部分 精度 无失码

16 位 差分线性误差 ?0.9 ±0.4 +0.9 LSB2 积分线性误差 ?1.0 ±0.6 +1.0 LSB2 跃迁噪声 0.52 LSB2 增益误差(TMIN 至TMAX )3 ±2 LSB2 增益误差温漂 ±0.41 ppm/°C 零电平误差(TMIN 至TMAX )3 ?0.9 ±0.44 +0.9 mV 零温漂 0.54 ppm/°C 电源灵敏度 VDD = 2.5 V ± 5% ±0.1 LSB2 吞吐速率 转换速率

0 1.33 MSPS 瞬态响应 满量程阶跃

290 ns 交流精度 动态范围

93 dB1 信噪比(SNR) fIN =

1 kHz 90.5

92 dB1 无杂散动态范围(SFDR) fIN =

10 kHz

114 dB1 总谐波失真(THD) fIN =

10 kHz ?115 dB1 信纳比(SINAD) fIN =

10 kHz 91.6 dB1 AD7983 技术规格 除非另有说明,VDD = 2.5 V,VIO = 2.3 V至5.5 V,REF =

5 V,TA = C40至+85.

1 所有以dB为单位的特性均参考满量程输入FSR.除非另有说明,测试条件为输入信号比满量程低0.5 dB.

2 LSB表示最低有效位.5 V输入范围时,1 LSB = 76.3 μV.

3 参见术语部分.这些规格包括整个温度范围内的波动,但不包括外部基准电压源的误差贡献. Rev. A | Page

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24 表3. 基准电压源 电压范围 2.9 5.1 V 负载电流 1.33 MSPS

500 ?A 采样动态性能 ?3 dB输入带宽

10 MHz 孔径延迟 2.0 ns 数字输入 逻辑电平 VIL VIO >

3V C0.3 0.3 * VIO V VIH VIO >

3V 0.7 * VIO VIO + 0.3 V VIL VIO ≤ 3V C0.3 0.1 * VIO V VIH VIO ≤ 3V 0.9 * VIO VIO + 0.3 V IIL ?1 +1 ?A IIH ?1 +1 ?A 数字输出 数据格式 串行16位直接二进制 转换完成后立即提供转换结果 流水线延迟 VOL ISINK =

500 ?A 0.4 V VOH ISOURCE = ?500 ?A VIO ? 0.3 V 电源 VDD 2.375 2.5 2.625 V VIO 额定性能 2.3 5.5 V VIO范围 1.8 5.5 V 待机电流1,

2 VDD和VIO = 2.5 V 0.35 nA 功耗 1.33 MSPS吞吐速率量 10.5

12 mW 每次转换的能量 7.9 nJ/采样 温度范围3 额定性能 TMIN至TMAX ?40 +85 °C 除非另有说明,VDD = 2.5 V,VIO = 2.3 V至5.5 V,REF =

5 V,TA = C40至+85. 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位

1 根据需要,所有数字输入强制接VIO或GND.

2 在采集阶段.

3 扩展温度范围请咨询销售人员. AD7983 Rev. A | Page

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24 表4. 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 转换时间:CNV上升沿至数据可用 tCONV

300 500 ns 采集时间 tACQ

250 ns 转换间隔时间 tCYC

750 ns CNV脉冲宽度(CS模式) tCNVH

10 ns SCK周期(CS模式) tSCK VIO高于4.5 V 10.5 ns VIO高于3 V

12 ns VIO高于2.7 V

13 ns VIO高于2.3 V

15 ns SCK周期(链模式) tSCK VIO高于4.5 V 11.5 ns VIO高于3 V

13 ns VIO高于2.7 V

14 ns VIO高于2.3 V

16 ns SCK低电平时间 tSCKL 4.5 ns SCK高电平时间 tSCKH 4.5 ns SCK下降沿至数据仍然有效 tHSDO

3 ns SCK下降沿至数据有效延迟时间 tDSDO VIO高于4.5 V 9.5 ns VIO高于3 V

11 ns VIO高于2.7 V

12 ns VIO高于2.3 V

14 ns CNV或SDI低电平至SDO D15 MSB有效(CS模式) tEN VIO高于3 V

10 ns VIO高于2.3 V

15 ns CNV或SDI高电平或最后一个SCK下降沿至SDO高阻态(CS模式) tDIS

20 ns CNV上升沿至SDI有效建立时间 tSSDICNV

5 ns CNV上升沿至SDI有效保持时间(CS模式) tHSDICNV