PDF《分子束外延材料从基础研究到产业化 3》

313 高电子迁移率晶体管材料(ΗΕ ΜΤ) 这类材料所利用的是/ 二维电子气0效应 这一 效应最早是在 ≥ 的反型层中观察到的 对电子而言 像一个势阱 使具有一定浓度的电子只能在平面内 运动 它的浓度又可以受到控制栅的调制 年?在测量这种样品的霍尔电阻时 发现 了量子霍尔效应 随后用分子束外延调制掺杂技术 在 衬底上生长 异质结 在较宽 禁带宽度的 层中掺杂 电子会转移到与其 相邻的 层中 实现了离化的母体杂质与电子 的空间分离 由于它们之间的库仑作用 而使电子集 中在异质结界面附近 形成了二维电子气 二维沟道 中的电子几乎不受到离化杂质的散射 有很高的电 子迁移率 崔崎等人在这一体系中观察到分数量子 霍尔效应 为此 和崔崎等分别获得了诺贝 尔物理学奖 因此在 年代.

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