PDF《上海得倍电子技术有限公司》

0 0.5

1 1.5 Io(A) Vo(V)

2 图10 电流调整率 Vin=12V Vo=5V Vo vs T 5.005 5.007 5.009 5.011 5.013 5.015

0 20

40 60

80 100 T(℃) Vo(V) 图13 输出电压随温度变化 Vin=12V Vo vs Io 2.500 2.501 2.502 2.503

0 0.5

1 1.5

2 Io(A) Vo(V) 图12 电流调整率 Vin=12V Vo=2.5V Vo vs Io 3.306 3.307 3.308 3.309 3.310

0 0.5

1 1.5

2 Io(A) Vo(V) 图11 电流调整率 Vin=12V Vo=3.3V Efficiency vs Vin

85 86

87 88

89 90

91 0

10 20

30 4 Vin(V) Efficiency(%

0 ) 图15 效率 Vo=5V Io=2A Efficiency vs Vin

89 90

91 92

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10 20

30 Vin(V) Efficiency(%

40 ) 图14 效率 Vo=5V Io=1A 上海得倍电子技术有限公司 Double Microelectronics Corporation of Shanghai DBIC 第7页共10 页Efficiency vs Vin

80 82

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20 30 订货信息 订货号码 无铅 无卤 精度 档次 封装形式 包装形式 D3132SP08U D3132SP08UG SOP-8 100PCS / Tube D3132SP08R D3132SP08RG SOP-8 2500PCS / Reel D3132ESP8U D3132ESP8UG ESOP-8 100PCS / Tube D3132ESP8R D3132ESP8RG ESOP-8 2500PCS / Reel

40 Vin(V) Efficiency(%) Efficiency vs Vin

81 82

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85 86

87 0

10 20

30 Vin(V) Efficiency(%

40 ) 图17 效率 Vo=3.3V Io=2A 图16 效率 Vo=3.3V Io=1A Efficiency vs Vin

80 82

84 86

88 90

0 10

20 30

40 Vin(V) Efficiency(%) Efficiency vs Vin

76 78

80 82

84 0

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30 Vin(V) Efficiency(%

40 ) 图19 效率 Vo=2.5V Io=2A 图18 效率 Vo=2.5V Io=1A 上海得倍电子技术有限公司 Double Microelectronics Corporation of Shanghai SOP-8L 封装尺寸 DBIC 第8页共10 页 上海得倍电子技术有限公司 Double Microelectronics Corporation of Shanghai ESOP-8L 封装尺寸 DBIC 第9页共10 页 上海得倍电子技术有限公司 Double Microelectronics Corporation of Shanghai 得倍电子对其产品是否适合特定用途不作任何保证、声明或承诺.得倍电子亦不承担因应用或使用任何产品或电路而应起 的任何责任,并特此声明其不承担任何责任,包括但不限于对附带损失或间接损失的赔偿责任. 典型 参数会因不同的应 用而变化,所有的操作参数包括 典型 参数,须经客户的技术专家按其每一应用目的坚定核准方可生效.得倍产品的设 计、应用和使用授权不含以下目的:将其产品用于植入人体的任何物体和维持生命的其他器件,或可因我产品的缺陷而引 致人身伤害或死亡的其他任何应用.买方保证,如其为此等未经授权的目的购买或使用得倍电子的产品,直接或间接导致 任何人身伤害或死亡的索赔要求,并从而引起得倍电子及其管理人员、雇员、关联方和分销商的责任,则买方将对该公司 和人员进行赔偿,是该公司和人员免于由此产生的任何索赔、损失、开支、费用及合理的律师费,即使该索赔要求指称得 倍电子的设计和指导其产品中有过失. DBIC 第10 页共10 页 ........