PDF《应用领域》

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200 250 IOUT(mA) V DIF (mV) -40°C +25°C +85°C

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200 250 IOUT(mA) V DIF (V) -40°C +25°C +85°C 压差:HT7333-3 压差:HT7350-3 Rev. 1.20

5 2018-12-06 此规格的测试条件是:VIN=VOUT+2V,IOUT=10mA,CIN=10μF,COUT=10μF 且Ta=25?C, 除非另有说明 负载瞬态响应: HT7333-3 (VIN=5.3V, IOUT=0mA ~ 40mA) 负载瞬态响应: HT7350-3 (VIN=7.0V, IOUT=0mA ~ 40mA) 负载瞬态响应: HT7333-3 (VIN=5.3V, IOUT=40mA ~ 0mA) 负载瞬态响应: HT7350-3 (VIN=7.0V, IOUT=40mA ~ 0mA) 线性瞬态响应: HT7333-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应: HT7350-3 (IOUT=10mA) Rev. 1.20

6 2018-12-06 此规格的测试条件是:VIN=VOUT+2V,IOUT=10mA,CIN=10μF,COUT=10μF 且Ta=25?C, 除非另有说明 线性瞬态响应:HT7333-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应:HT7350-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应:HT7333-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应:HT7350-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应:HT7333-3 (IOUT=10mA) 线性瞬态响应:HT7350-3 (IOUT=10mA) 上电响应:HT7333-3 (IOUT=0mA, TRISE=0.1ms) 上电响应:HT7350-3 (IOUT=0mA, TRISE=0.1ms) Rev. 1.20

7 2018-12-06 此规格的测试条件是:VIN=VOUT+2V,IOUT=10mA,CIN=10μF,COUT=10μF 且Ta=25?C, 除非另有说明 上电响应: HT7333-3 (IOUT=0mA, TRISE=100ms) 上电响应: HT7350-3 (IOUT=0mA, TRISE=100ms) 上电响应: HT7333-3 (IOUT=250mA, TRISE=0.1ms) 上电响应: HT7350-3 (IOUT=250mA, TRISE=0.1ms) 上电响应: HT7333-3 (IOUT=250mA, TRISE=100ms) 上电响应: HT7350-3 (IOUT=250mA, TRISE=100ms) 掉电响应: HT7333-3 (IOUT=0mA, TFALL=0.1ms) 掉电响应: HT7350-3 (IOUT=0mA, TFALL=0.1ms) Rev. 1.20

8 2018-12-06 此规格的测试条件是:VIN=VOUT+2V,IOUT=10mA,CIN=10μF,COUT=10μF 且Ta=25?C, 除非另有说明 掉电响应: HT7333-3 (IOUT=0mA, TFALL=100ms) 掉电响应: HT7350-3 (IOUT=0mA, TFALL=100ms) 掉电响应: HT7333-3 (IOUT=250mA, TFALL=0.1ms) 掉电响应: HT7350-3 (IOUT=250mA, TFALL=0.1ms) 掉电响应: HT7333-3 (IOUT=250mA, TFALL=100ms) 掉电响应: HT7350-3 (IOUT=250mA, TFALL=100ms) Rev. 1.20

9 2018-12-06 应用信息 该系列芯片为

3 端低压差系列线性稳压器. 必须严格遵循下列应用要点以实现正确操 作. 外部电路 输入和输出引脚必须要接上外部电容.对 于输入引脚,尤其在采用电池供电时而产 生高阻抗时,必须连接上合适的旁路电容, 如应用电路所示.而对于输出引脚,尤其 在负载具有瞬态性能时,必须连接合适的 电容,且选择较大容值的电容以限制瞬态 电压输出. 热注意事项 芯片最大功耗取决于 IC 封装的热阻、PCB 布局、周围气流速度以及结点与环境温度 的温差.通过以下公式计算可得最大功耗: PD(MAX)=(TJ(MAX) ? Ta)/θJA 此处的 TJ(MAX) 为结点最大温度,Ta 为环境 温度,而θJA 为IC 封装中每瓦度的结点到 环境热阻.下表显示了各种封装类型的 θJA 值. 封装类型 θJA (?C/W) SOT89 200?C/W 8SOP-EP 125?C/W 最大额定操作条件下,结点温度最大值为 150?C.但一般建议在正常工作时结点温度 最大值不能超过 125?C,从而保证芯片的 可靠性.不同封装类型在最大功耗下的降 负荷曲线如下图所示:

25 50

75 100

125 150

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 SOT89

0 (o C) (W) 8SOP-EP 0.8W 0.5W 功耗估算 为使芯片工作在极限范围内并保持一个稳 定的输出电压,芯片的功耗 PD 一定不能超 过最大功耗 PD(MAX),即PD≤PD(MAX).由下 图可看出几乎所有功率都是通过晶体管产 生,这等同于在负载上串联一个可变电阻, 从而保持输出电压恒定.此处产生的功率 表现为热能,必须保证芯片不能超过最大 结点温度. Vref VIN GND OUT Vfb VIN Common VOUT IIN Common ILOAD 由于负载的瞬态性能,在实际应用中要求 稳压器提供稳态和瞬态电流.虽然该系 列芯片操作于限制范围内,并在其稳态电 流下工作良好,但必须注意可能导致电流 上升至接近极限参数的瞬态负载,这也将 导致芯片结点温度的升高.电路中存在稳 态电流和瞬态电流,最需考虑的应为芯片 中产生热能的电流值均值,更确切地说是 RMS 值.下图显示了与瞬态电流相关的平 均电流. Time ILOAD ILOAD(AVG) 由于芯片的瞬态电流很小,一般可以忽略, 故假设输入电流等于输出电流,则芯片的 功耗 PD 可计算为输入电压和输出电压的压 差乘以电流,即得公式 PD=(VIN ? VOUT) * IIN 由于输入电流也等于负载电流,因此可得 公式 PD=(VIN ? VOUT)*ILOAD 但由于瞬态负载电流的存在,功耗 PD 应为 PD=(VIN ? VOUT)*ILOAD(AVG) 如图所示. Rev. 1.20