PDF《SC91F7311》

SC91F7311 带ADC 及软件 LCD 的1T

8051 内核 Flash MCU SinOne Chip 目录 目录.

1 1. 总体描述

4 2. 主要特色

4 3. 管脚定义

5 3.1 管脚配置.5 3.2 管脚定义.6 4. 内部方框图.8 5. Flash ROM 和SRAM 结构

9 5.1 Flash ROM

9 5.2 非挥发性规划区(INFORMATION BLOCK EEPROM)10 5.3 SRAM.10 6. 特殊功能寄存器(SFR)12 6.1 SFR 映像.12 6.2 SFR 说明.12 7. 电源、复位和时钟

15 7.1 电源电路.15 7.2 上电复位过程

15 7.3 复位方式.15 7.4 内部时钟电路 16M/8M/4M/1MHz IRC.18 7.5 外部 32K Crystal 和Base Timer 控制.18 7.6 省电模式 STOP.19 8.中央处理单元 CPU 及指令系统

20 8.1 CPU.20 8.2 寻址方式.20 8.3 指令系统.21 Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 9. INTERRUPT 中断

23 9.1 中断源、向量

23 9.2 中断结构图

25 9.3 中断优先级

25 9.4 中断处理流程

26 9.5 中断相关 SFR 寄存器.26 10. 定时器 TIMER0 、TIMER1

28 10.1 T0 和T1 相关特殊功能寄存器.28 10.2 T0 工作模式.30 10.3 T1 工作模式.32 11. PWM

34 11.1 PWM 结构框图.35 11.2 PWM 相关 SFR 寄存器

35 11.3 PWM 波形及用法

38 11.4 两路互补带死区 PWM 实现方法.39 12. Buzzer

42 13. 串行接口(SIF)43 13.1 SIF 相关 SFR 寄存器

44 13.2 SIF 应用注意事项.49 14. GP IO.50 14.1 GPIO 结构图

50 14.2 IO 端口相关寄存器

52 14.3 IO 端口复用.54 15. 模数转换 ADC.54 15.1 ADC 相关寄存器

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 15.2 ADC 转换步骤.56 16. IAP (In Application Programming)57 16.1 IAP 操作相关寄存器.57 16.2 IAP 操作流程.58 16.3 IAP 范例程序.58 17. 软件 LCD 驱动

59 17.1 软件 LCD 驱动相关寄存器

59 17.2 软件 LCD 驱动用法说明及注意事项.60 18. 电气特性

64 19. 订购信息

67 20. 封装信息

68 21. 规格更改记录

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 1. 总体描述 SC91F7311 是一颗加强型的超快速 1T

8051 工业级 Flash 微控制器,指令系统完全兼容传统

8051 产品系 列.SC91F7311 内部集成有 8KB Flash ROM(包含 256Byte EEPROM)、256B SRAM、最多

18 个GPIO(包含8个大电流 LED 驱动口)、所有 IO 可作为 COM/SEG 的软件 LCD(1/2Bias 或1/3Bias)、2 个16 位定时 器、8 路10 位高精度 ADC、2 路8位共周期 Duty 分别可设置的 PWM、1 路12 位Buzzer、1 个串行通讯接口 (SIF)、1 个32K Base timer、内部高精度 16M/8M/4M/1MHz 振荡器等资源.为提高可靠性及简化客户电路, SC91F7311 内部也集成有

2 级可选电压 LVR、2.4V 基准 ADC 参考电压、WDT 等高可靠电源电路.SC91F7311 可广泛应用于各种大小家电、工业控制等带 LCD 显示或者无 LCD 显示的应用领域. 2. 主要特色 ? 工作电压: 3.8V~5.5V ? 工作温度: -40 ~ 85℃ ? 封装: SOP20 ? 内核: 超快速的 1T

8051 ? 存储器: 8KB Flash ROM(MOVC 禁止寻址 0000~00FFH 的256B), 256B SRAM ? 系统时钟: 内建 16M/8M/4M/1MHz 振荡器 ? IC 工作的系统时钟,可通过编程器选择设定 ? 频率误差: 跨越 (4.5V~5.5V) 及(0℃~70℃) 应用环境, 不超过 ±2% 外接 32K 晶振 ? 不作为 IC 的系统时钟 ? 仅作为 Base Timer 来精确计时使用 ? 此X32K 可以唤醒 STOP ? 可通过 Code Option 来取消此晶振,并作为 GPIO 使用 ? 低电压复位(LVR): ? 复位电压有

2 级可选: 3.95V、4.15V ? Default 为用户烧写 Code Option 时的选择值 ? Flash 烧写:

4 线串行烧写接口 ? 中断(INT): ? TIMER0,TIMER1,SIF,ADC,PWM,X32K,INT0~2,INT6~7 共11 个中断源 ? INT

0、INT

2、INT6~7 为4个中断向量入口,仅下降沿触发 ? INT1 为单独的中断向量入口,可设上升沿、下降沿、双沿中断 ? 两级中断优先级可设 ? 数字外围: ?

18 个4种模式可设的强输出 GP IO(包含

8 个大电流 LED 驱动口:P1/P4) ? 所有 IO 可作为软件 LCD 的COM 或者 SEG,可选择输出电压为 1/3VDD、2/3VDD 或者 1/2VDD ?

16 位WDT,可选时钟分频比 ?

2 个标准 80C51

16 位定时器 TIMER0 及TIMER1 ?

1 个串行通讯接口 SIF,可设 Slave 和Master 模式 ?

2 路共周期但 Duty 可调的

8 位PWM ?

1 路12 位Buzzer ?

1 路来自于 32K 晶振的精准 Base Timer ? 模拟外围: ?

8 路10 位ADC 1) 内建基准的 2.4V 参考电压 2) ADC 的参考电压有

2 种选择, 分别是 VDD 以及 内部 2.4V 3) 可设 ADC 转换完成中断 ? 省电模式: STOP MODE ? 可由 INT0~2, INT6~7 唤醒 STOP MODE ? 可由外部 32K 振荡产生的定时中断唤醒 STOP MODE Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 3. 管脚定义 3.1 管脚配置 Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 3.2 管脚定义 管脚编号 管脚名称 管脚类型 功能说明

1 VSS Power 接地

2 P4.1/X32I I/O 1) P4.1: GPIO P4.1(大电流 LED 驱动) 2) 外部 32K Crystal 输入脚 3) SW LCD COM/SEG

3 P4.0/X32O I/O 1) P4.0 : GPIO P4.0(大电流 LED 驱动) 2) 外部 32K Crystal 输出脚 3) SW LCD COM/SEG

4 P1.7/RST/ENB I/O 1) P1.7: GPIO P1.7(大电流 LED 驱动) 2) 外部复位管脚 RST RESET 管脚(Default), 低电平使能.用户电路不能在上电时 强制拉低(上电复位时,系统默认为 RST,复位后可通过设置 SFR (RSTCFG) 取消 RESET 功能并将此 Pin 设为 IO. 3) SW LCD COM/SEG ENB:编程口 ENB

5 P1.6/BUZO/CE N I/O 1) P1.6: GPIO P1.6(大电流 LED 驱动) 2) BUZO: Buzzer 的输出 3) SW LCD COM/SEG CEN: 编程口 CEN

6 P1.5/SDA/CLK I/O 1) P1.5: GPIO P1.5(大电流 LED 驱动) 2) SDA: 串行通讯 SIF 的SDA 3) SW LCD COM/SEG CLK:编程口 CLK

7 P1.4/INT0/SCL/ DIO I/O 1) INT0: 外部中断

0 2) P1.4: GPIO P1.4(大电流 LED 驱动) 3) SCL: 串行通讯 SIF 的SCL 4) SW LCD COM/SEG DIO:编程口 DIO

8 INT1/P1.3 I/O 1) INT1: 外部中断 1(可通过 SFR INT1IT 来设置上升沿、下降沿 或者双沿中断,做过零检测功能时建议使用此口) 2) P1.3: GPIO P1.3(大电流 LED 驱动) 3) SW LCD COM/SEG

9 INT2/P1.2 I/O 1) INT2: 外部中断

2 2) P1.2: GPIO P1.2(大电流 LED 驱动) 3) SW LCD COM/SEG

10 INT6/P2.6/PW I/O 1) INT6: Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 MO1 外部中断

6 2) P2.6: GPIO P2.6 3) PWMO1: PWMO1 输出 4) SW LCD COM/SEG

11 INT7/P2.5/PW MO2 I/O 1) INT7: 外部中断

7 2) P2.5: GPIO P2.5 3) PWMO2: PWMO2 输出 4) SW LCD COM/SEG

12 P2.4/AIN11 I/O 1) P2.4: GPIO P2.4 2) AIN11: ADC 输入通道

11 3) SW LCD COM/SEG

13 P2.3/AIN10 I/O 1) P2.3: GPIO P2.3 2) AIN10: ADC 输入通道

10 3) SW LCD COM/SEG

14 P2.2/AIN9 I/O 1) P2.2: GPIO P2.2 2) AIN9: ADC 输入通道

9 3) SW LCD COM/SEG

15 P3.5/AIN4 I/O 1) P3.5: GPIO P3.5 2) AIN4: ADC 输入通道

4 3) SW LCD COM/SEG

16 P3.4/AIN3 I/O 1) P3.4: GPIO P3.4 2) AIN3: ADC 输入通道

3 3) SW LCD COM/SEG

17 P3.3/AIN2 I/O 1) P3.3: GPIO P3.3 2) AIN2: ADC 输入通道

2 3) SW LCD COM/SEG

18 P3.2/AIN1 I/O 1) P3.2: GPIO P3.2 2) AIN1: ADC 输入通道

1 3) SW LCD COM/SEG

19 P3.1/AIN0 I/O 1) P3.1: GPIO P3.1 2) AIN0: ADC 输入通道

0 3) SW LCD COM/SEG

20 VDD Power 电源 3.8V C 5.5V Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 4. 内部方框图 Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 5. FLASH ROM 和SRAM 结构 SC91F7311 的Flash ROM 和SRAM 结构如下: 5.1 FLASH ROM SC91F7311 有8KB 的Flash ROM,ROM 地址为 0000H~1FFFH,此8KB Flash ROM 可反复擦写

10 万次.0000H~1EFFH 的7.75KB 区间用户可以用作应用程序空间,最高地址的 256B 空间即 1F00~1FFFH 地址, 用户可用作 EEPROM 使用,即通常所说的 IAP 功能,IC 内部有命令可直接修改此部分内容.用户不使用 EEPROM,则整体的 8KB 都可以作为应用程序空间使用.此8KB FLASH ROM 的7.75KB Flash 和0.25KB EEPROM 可通过 SinOneChip 提供的专用 ICP 烧写器(SOC Pro51/DPT51 )来进行编程及擦除.低位地址的 256B 即0000H~00FFH 区间的 ROM 部分不能通过 MOVC 指令寻址. SC91F7311 的8KB Flash ROM 可提供 8K 整区域的查空 BLANK、编程 PROGRAM、校验 VERIFY 和擦除 ERASE 功能,但不提供读取 READ 的功能. SC91F7311 的Flash ROM 通过 Pin4(ENB)、Pin5(CEN)、Pin6(CLK)、Pin7(DIO)、VDD、VSS 来进行编程,具体连接关系如下: Page

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69 V 1.1 深圳市赛元微电子有限公司 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F7311 5.2 非挥发性规划区(INFORMATION BLOCK EEPROM) SC91F7311 内部有单独的一块 Flash 区域用于保存客户的上电初始值设置,此区域称为 Code Option 区域. 用户在烧写 IC 时将此部分代码写入 IC 内部,IC 在复位初始化时,就会将此设置调入 SFR 作为初始设置. IFB Bit-7 Bit-6 Bit-5 Bit-4 Bit-3 Bit-2 Bit-1 Bit-0 IFB1 VrefS[1:0] USE32K ENWDT - DISLVR LVRS[1:0] IFB2 IRCFS[1:0] IFB1 编号 符号 说明 7,6 VrefS[1:0] ADC 参考电压选择位(上电后调入 SFR ADCCFG0 的VREFS[1:0]) 00:设定 VDD 为ADC 参考电压 01:设定内部 2.4V 为ADC 参考电压 10:设定 P3.0 外接的电压为 ADC 参考电压 11:保留

5 USE32K 外部 32K 使用设定 0:不使用外部 32K 振荡器,P4.

0、P4.1 作为 GPIO 1:使用外部的 32K 振荡器,P4.

1、P4.0 分别作为 32KOSCI 和32K OSCO 使用

4 ENWDT WDT 开关 0:WDT 无效 1:WDT 有效(但IC 进入 IAP 模式则停止计数)

2 DISLVR LVR 开关 0:LVR 有效 1:LVR 无效 1,0 LVRS [1:0] LVR 电压选择控制 00: 4.15V 复位 01: 3.95V 复位 10: 保留 11: 保留 此电压点的值为常温值,实际值随温度会发生一些变化(约±0.1V@- 40~85℃),具体表现为温度越高 LVR 电压点会下降,温度越低 LVR 电 压点会抬高. IFB2 编号 符号 说明 1,0 IRCFS [1:0] IRC 频率选择控制 00: IRC 频率为 16MHz 01: IRC 频率为 8MHz 10: IRC 频率为 4MHz 11: IRC 频率为 1MHz 5.3 SRAM SC91F7311 单片机内部集成了 256B 的SRAM,供用户使用,地址范围为 00H~FFH.其中高 128B(地址 80H~FFH)只能间接寻址,低128B(地址 00H~7FH)可直接寻址也可间接寻址. 特殊功能寄存器 SFR 的地址也是 80H~FFH.但SFR 同高 128B SRAM 的区别是:SFR 寄存器是直接寻 址,而高 128B SRAM 只能是间接寻址. 低128B SRAM 区可分为三部分:①工作寄存器组 0~3,地址 00H~1FH,程序状态字寄存器 PSW 中的 RS

0、RS1 组合决定了当前使用的工作寄存器,使用工作寄存器组 0~3 可加快运算的速度;

②位寻址区 20H~2FH,此区域用户可以用作普通 RAM 也可用作按位寻址 RAM;

按位寻址时,位的地址为 00H~7FH(此地 址按位编地址,不同于通用 SRAM 按字节编地址),程........