PDF《HM4063》

16 DRV 驱动片外 P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极. 极限参数 VCC,VG,DRV,CHRG,DONE 到GND 的电压…….…-0.3V to 30V CSP,BAT 到GND 的电压…0.3V to 28V COM3 到GND 的电压…6.5V 其它管脚到 GND 的电压…0.3V to VCOM3+0.3V 存储温度…65℃---150℃ 工作环境温度…40℃---85℃ 焊接温度(10 秒)300℃ 超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏.以上给出的仅仅是极限范围,在这样的极限条件下 工作,器件的技术指标将得不到保证,长期在这种条件下还会影响器件的可靠性. HM4063 Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd http://www.hmsemi.com

4 电气特性: (VCC=15V,TA=-40℃ 到85℃,除非另有注明) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 输入电压范围 VCC 7.5

28 V 低电压锁存阈值 UVLO 4.2

6 7.

3 V 芯片工作电流 IVCC VBAT>VREG 1.2 1.7

5 2.3 mA 调制电压 VREG 恒压充电模式 12.474 12.

6 12.726 V 电流检测 VCS VBAT>8.4V,VCSP-VBAT

190 20

0 21

0 mV VBAT20V 40uH 20V 30uH 20V 20uH 20V 15uH 20V 10uH