PDF《Chipown》

800 900

1000 3 3.5

4 4.5

5 5.5

6 VIN(V) Iq(uA) VFB=0V VFB=1.5V F VS VIN

600 650

700 750

800 850

900 950

1000 3 3.5

4 4.5

5 5.5

6 VIN(V) F ( K H Z ) VFB VS VIN 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 1.25 1.30

3 3.5

4 4.5

5 5.5

6 VIN(V) VFB(MV) IO=10mA VEN VS VIN 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

3 3.5

4 4.5

5 5.5

6 VIN(V) V E N ( V ) VENH(V) VENL(V) EN 开/关(CH1:EN,CH2:VO) 正常波形(CH1:SW,CH2:VO,CH4:ISW) AP3126A Chipown 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢13 层

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8 订货信息 订购代码 标记 封装 AP3126ATBER O7XYP1 SOT-23-5L 1. XY=日期代码 P=封装厂 应用信息 输出电压设置 内部参考电压 VREF 为1.23V(典型值).输出电压由分压 电阻 R2 和连接 FB 引脚的 R1 相除得到.输出电压由下 式给出: ? ? ? ? ? ? + * =

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1 23 .

1 R R V VOUT 电源时序 为了保证正常的软启动功能以抑制浪涌电流, 输入电 压应该在EN拉高之前准备好. 软启动 软启动功能是为了在电源开启时抑制浪涌电流到一 个可以接受的值. AP3126A通过钳位误差放大器的输 出电压来提供内置软启动功能,以使在软启动期间 PWM占空比逐步增加. 限流 充电周期流过电感的电流通过电流感应电路来检测. 当数值达到电流限制阈值时,N-MOSFET被关闭,使 电感强制跳出充电状态而进入放电状态.因此,电感 电流不会超过电流限制阈值. 电容的选择 在AP3126A的应用中,推荐的输入电容为10uF,输出 电容为10uF.为了更好的电压滤波,建议用低ESR的 陶瓷电容.X5R和X7R类型比较合适,因为他们有更 广泛的电压和温度范围. 电感的选择 推荐的电感值为4.7uH到22uH.小尺寸和高效率是便 携式产品最主要的问题.为了更高的效率,电感应该 具有1MHz时的低磁心损耗和低DCR.应考虑到电感 的磁饱和电流要覆盖电感电流的峰峰值. 二极管的选择 肖特基二极管是AP3126A的最佳选择,因为它低正向压 降和快速反向恢复.用肖特基二极管可以获得更高效 率.高速整流也是肖特基二极管工作于高开关频率的特 性.二极管的额定电流必须满足峰值电流和输出电流的 均方根,如下式: PEAK OUT D I I RMS I * ≈ ) ( 二极管的反向击穿电压必须大于输出电压. 布局建议 为了体现AP3126A的最好性能, 必须严格遵守以下内 容. z 输入和输出电容必须靠近芯片放置并连接到地以 减少噪声耦合. z GND和裸露焊盘必须连接到一个大面积的地以 保证散热和噪声保护. z 保证主电流走线尽可能的短而宽. z DC-DC转换器的SW节点带有高频率电压开关. 它应该保持在一个小的区域. z 反馈组成部分应尽可能的靠近芯片而远离噪声 器件. AP3126A Chipown 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢13 层

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8 典型应用电路 图4 LCD 显示电源 AP3126A Chipown 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢13 层

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8 封装信息 AP3126A Chipown 无锡新区 龙山路 旺庄科技创业中心 C 幢13 层

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8 重要声明 芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利,恕不另行通知.芯朋微电子股份有限公司对任何将其产品 用于特殊目的的行为不承担任何责任,芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目的产品提供使用和应用 支持的义务.芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利.