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26 /W RθJCtop 结温和封装外壳表面温度之间的热阻

29 RθJCbot 结温和封装外壳底部温度之间的热阻

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4 层PCB 电路板,室温

28 条件下测得. 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPM6320 (文件编号: S&

CIC1465) 20W 快速充放电全集成电源管理芯片 Version 1.4 第6页共19 页Copyright ? 2016, 云矽半导体 6.5 电气特性 没有特别注明情况下,以下参数为 , 条件下测得. Parameters Symbol Condition Min Typ Max Unit 静态电流 Quiescent Currents 待机模式电流 IBAT_STD VBAT=3.2V

80 ?A VBAT=3.7V

90 充电模式静态电流 IIN_CHG VIN=5V, No Battery

14 23 mA 升压模式静态电流 IBAT_BOOST VBAT=3.7V, VOUT=5.1V

5 9 mA 充电系统 Battery Charger VIN 工作电压范围 VIN_RANGE 4.3 10.8 V 电池充电饱和电压 VBAT_FULL VBATS 悬空 4.18 4.2 4.22 V VBATS 接地 4.33 4.35 4.37 V 电池回充电压阈值 VBAT_RECHG VBATS 悬空 4.03 4.05 4.07 V VBATS 接地 4.10 4.15 4.20 V 电池回充迟滞电压

150 200 mV 电池过压阈值 VBAT_OVP VBAT=4.2V /4.35V 103% VBAT 恒流充电范围 ICHG_RANGE VIN=5V, RISET=20k ~5.1k 1.0 4.0 A VIN=9V, RISET=20k ~5.1k 1.0 4.5 A 恒流充电电流 ICHG RISET = 10k 1.8

2 2.2 A RISET =6.2k 2.7

3 3.3 A RISET =5.1k 3.8 4.1 4.5 A 涓流充电电流 IPRECHG 5% 10% 15% ICHG 涓流充电电池电压阈值 VPRECHG 涓流充电到恒流充电 2.9

3 3.1 V 恒流充电到涓流充电 2.7 2.8 2.9 V 涓流充电阈值迟滞电压

200 mV 涓流充电截止时间 TPRECHG

60 Min 恒压充电截止电流 ITERM 5% 10% 15% ICHG 充电截止时间 TTERM

24 H 充电自适应电压阈值 VIN_TRACK VIN=5V 4.6 4.65 4.7 V VIN=9V 8.15 8.2 8.25 V 充电自适应温度阈值

120 °C 升压系统 Boost Mode 电池工作电压 VBAT 2.8 4.5 V VOUT 电压范围 VOUT VBAT=2.8V~4.5V, VOUT=5V 5.10 5.15 5.20 V VBAT=2.8V~4.5V, VOUT=9V 8.95 9.05 9.15 VBAT=2.8V~4.5V, VOUT=12V 11.88

12 12.12 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XPM6320 (文件编号: S&

CIC1465) 20W 快速充放电全集成电源管理芯片 Version 1.4 第7页共19 页Copyright ? 2016, 云矽半导体 电气特性(续) 没有特别注明情况下,以下参数为 , 条件下测得. Parameters Symbol Condition Min Typ Max Unit 输出电流 IOUT VBAT=3.7V, ROLIM=5.1k VOUT=5V 2.8

3 3.2 A VOUT=9V 1.8

2 2.2 VOUT=12V 1.3 1.5 1.7 输出电压纹波 VOUT VBAT=3.7V, VOUT=5V, COUT=66?F

100 mV 负载过流检测时间 VOUT........