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SD6834 说明书 内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.

3 2011.06.30 Http://www.silan.com.cn 共8页第1页 产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 材料 包装 SD6834 DIP-8-300-2.54 SD6834 无铅 料管 DIP-8-300-2.54 描述 SD6834是用于开关电源的内置高压MOSFET外置采样电阻 的电流模式PWM+PFM控制器系列产品. 该电路待机功耗低,启动电流低.在待机模式下,电路进入 打嗝模式,从而有效地降低电路的待机功耗. 电路的开关中心频率为25~67KHz,随负载而定.抖动的开 关频率,可以获得较低的EMI. 内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限峰 值电流一致.上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平衡, 可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和.还可以 通过CS端电阻调节极限峰值电流. 电路内部集成了各种异常状态保护功能.包括欠压锁定,过 压保护,过载保护,脉冲前沿消隐,原线圈过流保护和温度保护 功能.在电路发生保护以后,电路可以不断自动重启,直到系统 正常为止. 主要特点 ? 能源之星2.0标准 ? 低启动电流(3μA) ? 随负载而变的开关频率可以提高效率 ? 抖动的开关频率可以降低EMI ? 过压、原线圈过流、过载、过温保护 ? 外置峰值电流采样电阻 ? 欠压锁定 ? 内部集成高压MOSFET ? 自动重启 ? 峰值电流补偿电路 ? 初始化峰值电流最大补偿 ? 打嗝模式 ? 逐周期限流 应用 ? 开关电源 SD6834 说明书 典型输出功率能力 190~265V 85~265V 产品 开放式 适配器 开放式 适配器 SD6834 14W 19W 12W 15W 内部框图 极限参数 符号参数范围单位参数漏栅电压(RGS=1MΩ) VDGR

650 V 栅源(地)电压 VGS ±30 V 漏端电流脉冲 注1 IDM

10 A 漏端连续电流(Tamb=25°C) ID 2.5 A 信号脉冲雪崩能量 注2 EAS

140 mJ 供电电压 VCC,MAX

28 V 反馈输入端电压 VFB -0.3~7 V 峰值电流采样端电压 VCS -0.3~2 V PD 1.5 W 总功耗 Darting 0.017 W/°C 工作结温 TJ +150 °C 工作温度范围 TORG -25~+85 °C 贮存温度范围 TSTG -55~+150 °C 注:1. 脉冲宽度由最大结温决定;

2. L=51mH, TJ=25°C(起始). 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.3 2011.06.30 Http://www.silan.com.cn 共8页第2页SD6834 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.3 2011.06.30 Http://www.silan.com.cn 共8页第3页 电气参数(感应 MOSFET 部分,除非特殊说明, Tamb=25°C) 参数符号测试条件最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=50μA

650 -- -- V VDS=650V,VGS=0V -- --

50 μA 零栅压漏端电流 IDSS VDS=480V,VGS=0V Tamb=125°C -- --

200 μA 静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=0.5A -- 3.4 -- Ω 输入电容 CISS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz --

320 -- pF 输出电容 COSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz --

42 -- pF 反向传输电容 CRSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz -- 1.3 -- pF 导通延迟时间 TD(ON) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA --

13 -- ns 上升时间 TR VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA --

31 -- ns 关断延迟时间 TD(OFF) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA --

18 -- ns 下降时间 TF VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA --

20 -- ns 电气参数(除非特殊说明,VCC=12V,Tamb=25°C) 参数符号测试条件最小值 典型值 最大值 单位 欠压部分 上电启动电压 VSTART 14.5 15.5 16.5 V 关断电压 VSTOP 7.5 8.3 9.0 V 振荡部分 振荡频率最大值 fOSCMAX VFB=3V

61 67

73 KHz 振荡频率最小值 fOSCMIN VBURL