PDF《一、概述》

5 RESET 复位输入.低电平有效的输入,将器件的控制逻辑、接口逻辑、校准系 数、数字滤波器和模拟调制器复位至上电状态

6 AIN2(+)[AIN1] 对于 AD7705,差分模拟输入通道

2 的正输入端.对于 AD7706,模拟输入 通道

1 的输入端

7 AIN1(+)[AIN2] 对于 AD7705,差分模拟输入通道

1 的正输入端;

对于 AD7706,模拟输入 通道

2 的输入端

8 AIN1(-)[COMMON] 对于 AD7705,差分模拟输入通道

1 的负输入端;

对于 AD7706,COMMON 输 入端,模拟通道

1、

2、3 的输入以此输入端为基准

9 REFIN(+) 基准输入端.AD7705/7706 差分基准输入的正输入端.基准输入是差分 的,并规定 REFIN(+)必须大于 REFIN(-).REFIN(+)可以取 VDD 和GND 之 间的任何值

10 REFIN(-) 基准输入端.AD7705/7706 差分基准输入的负输入端.REFIN(-)可以取 VDD 和GND 之间的任何值,且满足 REFIN(+)大于 REFIN(-)

11 AIN2(-)[AIN3] 对于 AD7705,差分模拟输入通道

2 的负输入端.对于 AD7706,模拟输入 通道

3 输入端

12 ―――― DRDY 逻辑输出.这个输出端上的逻辑低电平表示可从 AD7705/7706 的数据寄存 器获取新的输出字.完成对一个完全的输出字的读操作后, ―――― DRDY引脚立即 回到高电平.如果在两次输出更新之间,不发生数据读出, ―――― DRDY将在下一 次输出更新前 500*tCLKIN 时间返回高电平.当―――― DRDY处于高电平时,不能 进行读操作,以免数据寄存器中的数据正在被更新时进行读操作.当数据 被更新后, ―――― DRDY又将返回低电平. ―――― DRDY也用来指示何时 AD7705/7706 已经 完成片内的校准序列

13 DOUT 串行数据输出端.从片内的输出移位寄存器读出的串行数据由此端输出. 根据通讯寄存器中的寄存器选择位,移位寄存器可容纳来自通讯寄存器、 时钟寄存器或数据寄存器的信息

14 DIN 串行数据输入端.向片内的输入移位寄存器写入的串行数据由此输入.根 据通讯寄存器中的寄存器选择位,输入移位寄存器中的数据被传送到设置 寄存器、时钟寄存器或通讯寄存器

15 VDD 电源电压,+2.7V~+5.25V

16 GND 内部电路的地电位基准点 1.5 1.5 1.5 1.5 订购指南 订购指南 订购指南 订购指南 Model 电压 温度范围 封装描述 封装选项 AD7705BN AD7705BR AD7705BRU EVAL-AD7705EB 2.7V~5.25V 2.7V~5.25V 2.7V~5.25V -40℃~+85℃ -40℃~+85℃ -40℃~+85℃ Evaluation Board PlasticDIP SOIC TSSOP N-16 R-16 RU-16 AD7706BN AD7706BR AD7706BRU EVAL-AD7706EB 2.7V~5.25V 2.7V~5.25V 2.7V~5.25V -40℃~+85℃ -40℃~+85℃ -40℃~+85℃ Evaluation Board PlasticDIP SOIC TSSOP N-16 R-16 RU-16

二、特性 2.1 2.1 2.1 2.1 极限参数 极限参数 极限参数 极限参数 (TA=+25℃,除非另有说明) VDD 对GND -0.3V~+7V 模拟输入电压对 GND -0.3V~VDD+0.3V 基准输入电压对 GND -0.3V~VDD+0.3V 数字输入电压对 GND -0.3V~VDD+0.3V 数字输出电压对 GND -0.3V~VDD+0.3V 工作温度范围(商业级,B) -40℃~+85℃ 储存温度范围 -65℃~+150℃ 结温 +150℃ 功耗(塑料 DIP 封装) 450mW θJA 热阻 105℃/W 引脚温度(焊接,10 秒) +260℃ 功耗(塑料 SOIC 封装) 450mW θJA 热阻 75℃/W 引脚温度(焊接) 汽相(60 秒) +215℃ 红外线(15 秒) +220℃ 功耗(SSOP 封装) 450mW θJA 热阻 139℃/W 引脚温度(焊接) 汽相(60 秒) +215℃ 红外线(15 秒) +220℃ 抗ESD >

4000V 注:强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏.这些仅仅是极限参数,并不意味 着在极限条件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器件能有效地工作.延长在极 限参数条件下的工作时间会影响器件的可靠性. 2.2 2.2 2.2 2.2 电特性 电特性 电特性 电特性 ( VDD=+3V 或+5V , REFIN(+)=+1.225V ;