PDF《SM7095-12》

6 D _ F

5 D _ F HVDD OUT V V V V V ? ? ? ? ? HVDD 电压 当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电,当C3 电容电压达到 11.5V,内部高压启动 MOS 管关闭,同时 PWM 开启,系统开始工作. 当C3 电容电压下降到 9V 以下,关闭 PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动.这就是 欠压保护. VDD t t VOUT VDDON VDDOFF 欠压保护 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -5- ? 控制部分 DRAIN R2 GND + - 0.23V PWM control R1 HVDD-12V ID IS IFB Ifb 采样电流 检测电路 通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分, 其中一部分为 IS, 这部分电流为芯片采样电流. IS 与ID 成比例关系: S ID D I ? G = I 通过上图可知: V R I I FB S

23 .

0 2 ) ( ? ? ? ,由此可以得到: FB S I -

2 R V

23 0 = I . 以上公式合并,可得到: ) . ( FB ID D I -

2 R V

23 0 ? G = I 从上式可以看出,IFB 电流大,ID 的电流就小;

IFB 电流小,ID 的电流就大.当IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时,芯片会关闭 PWM,同时芯片会自动进入突发模式. 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -6- PCB layout 注意事项 DIP8 封装芯片 简要说明: DIP8 ? 在IC 的DRAIN 脚与 GND 及VDD 之间开槽,以便进一步增加安规距离. ? 初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过 EMC 测试. ? 高压信号与低压信号分开走线,避免高压信号对低压反馈信号产生干扰. ? IC 的

1、2 脚GND 需要铺铜处理,铺铜面积建议大于 8*8mm,以降低芯片的温度. 开槽 铺铜 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -7- 典型应用方案 原理图: C2 R1 + + C1 +12V L2 C3 D5 D6 C4 L1 R2 + GND AC RV1 +

1 4 COMP HVDD DRAIN

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8 5

7 6 GND DRAIN DRAIN DRAIN U1 SM7095-12 GND C5 + D1-D4 BOM 清单: 位号 参数 位号 参数 D1-D4 IN4007 RV1 10D471 D5 FR107 R1 10R/2W D6 ES2J R2 10R/0.25W C

1、C2 4.7uF/400V L1 EE10(4+4)立式 C3 4.7uF/50V L2 1mH C4 470uF/25V U1 SM7095-12 C5 33nF/16V - - 变压器参数: 制作说明: 1. 骨架EE10(4+4) 立式 PC40磁芯 2. 电感量Lp(7 2)=0.25mH,漏感为Lp的5%以下 变压器绕制方法 进线

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5 4 底视图

7 2 N1 N1(7 2) Φ0.29*1*75T 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

电话:400-033-6518 www.linkage.cn SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -8- 封装形式 DIP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A - 4.8 A1 0.5 - A2 3.0 3.7 B 0.3 0.6 B1 1.524(BSC) C 0.2 0.4 D 9.1 9.5 E 6.15 6.45 E1 7.2 8.4 e 2.54(BSC) L 2.8 4.0 E2 8.8(BSC) 注:如需最新资料或技术支持,请与我们联系 [email protected] 业务

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