编辑: qksr | 2016-08-05 |
因此可用于工业设备用大电源等大功 率应用.另外,与一般的Si-IGBT模块相比,大幅减少开关损耗,还因可高频驱动,有助于周边元器件和冷却系统 实现小型化. BSM300D12P2E001 1200V / 300A 全SiC功率模块
17 21.1
122 45.6 D1 N.C N.C SS2 SS2 G2 G2 G1 G1 SS1 SS1 N.C N.C N.C SS2 G2 G1 SS1 N.C S1D2 S1D2 S2
17 3.8 40.5
62 S2 S1D2 S1D2 G2 SS2 SS1 DS1 NTC
152 122 C type E type D1 开关损耗 导通损耗 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
0 整体损耗 减少约22% 更高频率下 整体损耗 减少约60% Loss (kW) 5kHz 30kHz IGBT Module ROHM IGBT Module ROHM 新增1200V/300A产品阵容 BSM300D12P2E001 E Type 外形尺寸图 单位 mm D1 D1 SS1 SS1 S1D2 S1D2 SS2 S2 SS2 S2 G1 G1 G2 G2 内部电路图 D1DS1 SS1 S1D2 SS2 S2 G1 G2 NTC NTC BSM120D12P2C005 BSM180D12P2C101 BSM300D12P2E001
1200 -6 +22
120 180
300 -40 +175
2500 50 12.8 7.3 C type E type VGS (V) ID(A) (TC=60?C) Tj(?C) Tstg(?C) Visol(V) (AC 1min.) RDS(ON) (mΩ) 封装 绝对最大额定值(Ta=25 型号 - 热敏电阻 VDSS (V) -40 +125 -40 +150 1200V 电压 电流 进电进电进一步 大电流化 进 压化 进 压化 进一步 高耐压化 300A 300A 300A 180A 120A 180A 120A
8 180
120 今后的展开 SiC模块减少开关损耗 !可实现高频化 ・采用独有的设计技术,电感减少约一半. ・搭载热敏电阻,防止升温过度. 在大电流应用中可放心设计 (PWM驱动条件下罗姆仿真结果2015年4月) G1 2015.04 .58F6884C www.rohm.com.cn 欲知详情,请浏览主页. 上海:(021)6072-8612 深圳:(0755)8307-3008 大连:(0411)8230-8549 香港:(852)2740-6262 www. rohm.com.cn 本资料所记载的内容只是产品的情况介绍.要使用该产品时,请务必通过别的途径获取规格说明书,进一步确认产品的规格及其性能.本资料所记载 的内容是力求准确无误而慎重编制成的,但万一用户方出现因该内容存在错误或打字差错造成损失的情况,罗姆公司不予承担责任.本资料所介绍的 技术内容是产品的典型工作状况和应用电路举例等,对于罗姆或其他公司的知识产权及其他所有权利未做明确的、暗示的准予实施或使用的承诺.如 因使用这些技术内容而引发纠纷,罗姆公司不予承担责任.在出口本资料所介绍的产品及技术中符合「外汇及外国贸易法」的产品或技术时,或者向 国外提供时,必需取得依照该法发放的许可. 本资料所记载的内容是截至2015年4月13日的材料.