PDF《中大功率 IGBT 驱动芯片》

驱动器的参考端 Com 通过电阻 Re 与IGBT 的发 射极相连;

驱动器的检测端 Detect 通过高压隔离二极管 Dhv 与IGBT 的集电极相连. 栅极电阻一般 Rg =2~47Ω,总功率≥2Po,Po 是实际驱动功率. IGBT 的栅极和发射极之间并联的电阻 Rge 是泄 放电阻,防止在未接驱动引线的情况下,偶然加主电 高压,通过米勒效应烧毁 IGBT. 驱动器通过二极管 Dhv 检测 IGBT 的导通压降 Vces,用以判定 IGBT 是否过流.二极管的耐压可按 IGBT 工作电压的

2 倍以上选取,实际中可用几只快 恢复二极管(如HER

107、FUR1100 等)串联而成. 检测二极管回路可以接 Rj/Df,保护驱动器. IGBT 的栅极和发射极之间还可以并接 18V 双向稳 压管. 注意: 不接电容 Cc 和Ce 前不能测试输出波形,否则可 能烧毁驱动片. 驱动器到 IGBT 的连线要尽量短,不宜超过 200mm,栅射极引线应使用绞线. 谨防输出短路,短路可能损坏驱动器. 6.4 保护参数的设置 保护参数........