PDF《光变之路,Micro/Mini LED、3D Sensing》

24 表9:苹果 3D sensing 零部件价值量详细拆分

26 表10:VCSEL 设计厂商近期动态

28 表11:EPI 外延片 供应商布局

29 表12:台湾厂商 VCSEL 发展动态

30 [table_page] 电子元器件行业专题 http://research.stocke.com.cn 5/31 请务必阅读正文之后的免责条款部分 1. 次世代显示技术明星――Micro LED Micro LED 是指在芯片上集成的高密度微尺寸 LED 阵列,每个像素点定址化、单独驱动,具有自发光特性.相比 于当前显示技术主流 OLED 和LCD,Micro LED 结构更加简单,性能优势更加明显,具有高亮度、低能耗、使用寿命 长、无影像烙印、响应速度快等优点,可广泛应用于面板显示器、AR/VR 设备、户外显示器、头戴式显示器(HMD) 、 抬头显示器(HUD) 、无限光通讯、投影机等领域.目前,苹果收购 LuxVue 科技公司,布局 Micro LED 在可穿戴设 备市场应用.三星、索尼布局 Micro LED 大屏显示应用,分别推出 Micro LED 产品 CLEDIS 和 The Wall .美国 Vuzix 和英半导体公司 Plessey 共同合作开发 Micro LED 显示引擎用于下一代 AR 智能眼镜.据预测,至2025 年Micro LED 显示市场出货量可达 3.3 亿片,市场产值将达到 28.91 亿美元. 1.1. LED 微缩化和矩阵化技术 Micro LED 是指在芯片上集成的高密度微尺寸的 LED 阵列结构,达到薄膜化、微小化,尺寸控制在 1-10μm 左右.Micro LED 上每一点画素(pixel)都能定址化、单独驱动发光,将像素点距离从毫米级降低至微米级,具有自发 光显示特性. 图1:Micro LED 示意图 资料来源:聚积官网、浙商证券研究所 倒装 Micro LED 芯片由 n 型和 p 型半导体及其中间的多量子阱有源区构成,通过传统 LED 外延晶片制备.Micro LED 材料取决于所需的发射波长:蓝绿光 LED 采用 GaN 基晶圆,红色 LED 采用 AlGaInP 基晶圆.多层 GaN 材料首 先生长在蓝宝石衬底上,AlGaInP 多层材料首先在 GaP 上生长.每个 LED 台阶通过一系列光刻、刻蚀来完成. 图2:Micro LED 阵列的结构和布局 资料来源:IEEE/IET Electronic Library、浙商证券研究所 [table_page] 电子元器件行业专题 http://research.stocke.com.cn 6/31 请务必阅读正文之后的免责条款部分 Micro LED 在垂直维度上尺寸也有很大的缩小.以AlGaInP 倒装芯片为例,除量子阱层(MQW)外,其余各层厚 度均有减小.相比于传统的红色 LED,总厚度从 6.48μm 减至 3.63μm,厚度缩减近 50%.其芯片主要加工制造流程包 括离子沉积、衬底去除、N 型金属沉积、刻蚀加工、P 型金属沉积等. 图3:Micro LED 与传统 LED 厚度对比图 资料来源:IEEE/IET Electronic Library、浙商证券研究所 图4:Micro LED 芯片制备流程图 资料来源:IEEE/IET Electronic Library、浙商证券研究所 1.2. 未来显示技术的主流――OLED or Micro LED? 1.2.1. OLED――当前市场流行显示技术 OLED,即有机........