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21 项核心工艺技术,具体情况如下: 序号核心技术 技术简介 应用 技术 来源 对应的专利 情况

1 3.5 代Touch panel 用大尺 寸掩膜版制 在800mm*960mm 的尺寸范围, 实现最小线/间宽 8?m 图形的精 度与缺陷控制达到:线/间(CD) 触控 自主 研发 获得降低光掩 模板条纹的方 法及装置

1 项3-1-3-3 序号核心技术 技术简介 应用 技术 来源 对应的专利 情况 造技术 精度=±0.75?m;

总长(TP)精度 =±1.5?m;

允许缺陷尺寸≤5.0?m. 该技术属国内先进. 发明专利

2 液体感光性 树脂凸版技 术 印刷 PI 模厚偏差(固化后) : ±30?;

印刷 PI 尺寸偏差 (单边) : ±0.1mm. 该技术获得深圳市

2003 年科技 进步三等奖. 液晶显示 器(LCD) 制造过程 中定向材 料移印 自主 研发 获得液体感光 性树脂凸版表 面除粘方法、 带 凹槽的液体感 光性树脂凸版 的制作方法

2 项发明专利

3 IC Bumping 用掩膜版制 造技术 在152.4mm*152.4mm 的尺寸范 围, 实现最小线/间宽 1.5?m 图形 的精度与缺陷控制达到:线/间(CD) 精度=±0.1?m;

总长 (TP) 精度=±0.2?m;

允许缺陷尺寸≤2?m. 该技术属国际先进. IC 封装 自主 研发 获得 FPD 掩膜 版制作设备制 作Reticle 掩膜 版的方法、 一种 IC 专用掩膜版 上黑点类缺陷 的修补方法

2 项发明专利

4 5 代a-Si TFT- LCD 用 掩膜版制造 技术 在520mm*800mm 的尺寸范围, 实现最小线/间宽 2?m 图形的精 度与缺陷控制达到:线/间(CD) 精度=±0.35?m;

总长(TP)精度 =±0.5?m;

允许缺陷尺寸≤3.0?m. 该技术属国内先进. TFT-LCD 用掩膜版 自主 研发 获得一种光刻 机曝光系统及 其控制方法、 一 种检版平台的 移动方法、 检版 平台移动装置 及检测系统、 降 低光掩模条纹 的方法及装置3 项发明专利

5 5.5 代Touch Panel 用超大 尺寸掩膜版 制造技术 在850mm*1,400mm 的尺寸范 围,实现最小线/间宽 8?m 图形 的精度与缺陷控制达到:线/间(CD) 精度=±0.75?m;

总长 (TP) 精度=±1.5?m;

允许缺陷尺寸≤5.0?m. 该技术属国内先进. 大尺寸触 控 自主 研发 未单独申请专 利64.5 代及以下 AMOLED 用 掩膜版制造 技术 在520mm*610mm 的尺寸范围, 实现最小线/间宽 2?m 图形的精 度与缺陷控制达到:线/间(CD) 精度=±0.2?m;

总长(TP)精度 =±0.4?m;

允许缺陷尺寸≤2?m. 该技术属国内先进. AMOLED 用掩膜版 自主 研发 除5代a-Si TFT- LCD 用掩 膜版制造技术 使用的

3 项专 利外, 还获得半 灰阶掩模板半 3-1-3-4 序号核心技术 技术简介 应用 技术 来源 对应的专利 情况 曝光区的设计 方法及其制造 方法

1 项发明 专利, 一种旋覆 与狭缝液帘配 合的显影设备1 项实用新型专 利75.5 代LTPS 用掩膜版制 造技术 在800mm*920mm 的尺寸范围, 实现最小线/间宽 2?m 图形的精 度与缺陷控制达到:线/间(CD) 精度=±0.10?;

总长(TP)精度 =±0.30?m ;

允许缺陷尺寸≤1.0?m. 该技术属国内先进. LTPS 用掩 膜版 自主 研发 除5代a-Si TFT- LCD 用掩 膜版制造技术 使用的

5 项专 利外, 还获得降 低光掩模板条 纹的方法及装 置1项发明专 利88.5 代及以下 TFT-LCD 用 掩膜版制造 技术 在1,220mm*1,400mm 的尺寸范 围,实现最小线/间宽 2?m 图形 的精度与缺陷控制达到:线/间(CD)精度=±0.35?;

总长(TP) 精度=±0.50?m;

允许缺陷尺寸 ≤3.0?m. 该技术属国际水平,国内先进 大尺寸面 板 自主 研发 除5代a-Si TFT- LCD 用掩 膜版制造技术 使用的