PDF《物理学进展》

1 0-4 数量级[

1 2 ] .如图6为6

0 6

6 A l /

3 S i C p 与6

0 6

6 A l /

1 2 S i C p 合金的热循环时内耗-温度关 系.图中一个热循环( 一次升温与降温) 的面积代表耗散的能量, 即内耗的大小[

1 3 ] , 图6中热 循环( 一次升温与降温) 后曲线并不重合, 说明在热循环过程中发生了损伤, 而且在一个热循环 过程中6

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6 A l /

3 S i C p 合金的界面滑移比6

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6 A l /

1 2 S i C p 复合材料的界面滑移小. 图6

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6 6 A l /

3 S i C p 合金和6

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6 A l /

1 2 S i C p 的热循环时内耗 温度关系 图

1、 图2表明, 材料的-1 在不同温度区间基本呈线性关系, 但在低温区和高温区的 斜率不同, 可以从l n -1

1 / 斜率求得表观激活能 . 在低振幅下测量内耗, 一般认为振幅效应可以忽略不计, 复合材料的内耗曲线中随频率增 加, 内耗近似呈直线并移向高温, 可以假设[

1 4 ] : l n -

1 ∝ / (

1 ) 由l n -1

1 / 的斜率可以求得表观激活能 ,

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6 6 A l合金低温时表观激活能为4 7k J / m o l , 高温的表 观激活能为136k J / m o l ,

6 0

6 6 A l /

3 S i C p 的表观激活能在低温和高温时分别为20. 3k J / m o l 和1

1 8. 6k J / m o l .可以看出, 低温下的激活能与Al的 全位错的位错应变能35k J / m o l 相近, 高温下的激活能与 A l的体扩散激活能1

4 0k J / m o l相当, 这也说明在低温下 位错运动是引起内耗的主要原因;

高温下的内耗与有原子和空位扩散的 A l / S i C p 的界面滑移 密切相关.

4 结论

1、

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6 6 A l / S i C p 的内耗值比

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6 6 A l合金内耗值高, 特别是在高温阶段;

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6 6 A l / S i C p 和6066Al合金的内耗值均随所测试频率增高而增加, 随测试温度升高而增大;

随SiCp的含量增

1 3

4

3、 4期 柏振海等:

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6 6 A l / S i C p 复合材料内耗性能研究 加,

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6 6 A l / S i C p 的内耗增大;

2、

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6 6 A l / S i C p 和6

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6 A........