编辑: 哎呦为公主坟 | 2018-01-03 |
最大额定值(TC=25℃) Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃) 参数名称 PARAMETER 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage VCBO
600 V 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage VCEO
410 V 发射极-基极 Emitter-Base Voltage VEBO
9 V 集电极电流 Collector Current Ic 1.5 A 集电极耗散功率 Total Power Dissipation PC
23 W 最高工作温度 Junction Temperature Tj
150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature TsTg -55-150 ℃ 电特性(TC=25℃) Electrical Characteristics(Tc=25℃) 参数名称 CHARACTERISTICS 符号 SYMBOL 最小值 MIN 最大值 MAX 单位 UNIT 集电极-基极截止电流 Collector-Base Cutoff Current ICBO
5 uA 集电极-发射极截止电流 Collector-Emitter Cutoff Current ICEO
10 uA 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage VCEO
410 V 发射极-基极电压 Collector-Base Voltage VEBO
9 V 0.3 0.6 V 0.8 V 发射极-基极饱和压降 Base-Emitter Saturation Voltage Vbesat 1.2 V
8 15
30 6 贮存时间 Storage Time ts
2 3.5 深圳力迈电子有限公司 Tel: 0755-81457900 Fax: 0755-81457901 http://www.szlimai.net Add: 深圳宝安区福永镇凤凰兴围第三工业区12栋NPN高压开关晶体管/NPN High Voltage Switching Transistor 测试条件 TEST CONDITION VCB=600V VCE=400V,IB=0 IC=10mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 集电极-发射极饱和压降 Collector-Emitter Saturation Voltage Vcesat IC=500mA,IB=100mA IC=1.0A,IB=0.2A IC=1.5A,IB=0.4A Hfe VCE=5V,IC=200uA VCE=5V,IC=500mA VCE=5V,IC=1.5A 深圳市力迈电子有限公司 VCC=5V IC=0.25A (UI9600) us 下降时间 falling time tf 0.8 IC=500mA,IB=100mA 电流放大倍数 DC Current Gain 封装形式:TO-126 BCE E B C LM13003B 深圳力迈电子有限公司 Tel: 0755-81457900 Fax: 0755-81457901 http://www.szlimai.net Add: 深圳宝安区福永镇凤凰兴围第三工业区12栋 深圳市力迈电子有限公司