PDF《碳化硅晶体生长炉》

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51 性能指标 碳化硅晶体直径不小于

6 英寸 生长腔体真空度极限真空优于 5.

0*10 ?5 Pa 生长腔体保压

12 小时后真空度≤5 Pa 生长腔压力控制范围 100―90000 Pa 最高加热温度不小于

2600 ℃ 共6路特气(包括 Ar、N

2、H2 三种气体) 主要应用 用于以 SiC 为代表的晶体材料制备 代表性应用成果 主要用户单位 中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、中 国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京世纪金光半导体有限公司等 研制单位 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 联系方式 方老师 024-

23826855、

23826899、

23826827、23826820 碳化硅晶体生长炉 TDL85P Silicon Carbide Crystal Growth Furnace 碳化硅晶体 碳化硅晶片