PDF《DK212 12W 超低待机功耗交直流转换芯片》

当IS 脚 直接接地时,设定最大峰值电流为 Ip_Max=700mA;

2. 软启动: 上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和 次级整流管应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时初级峰值电流最大为 0.5 倍最 大峰值电流. 3. 准谐振输出: 一个 PWM 周期由

3 部分组成:

一、电感充电(开关管开通)阶段, ;

二、电感放电阶段(开关管关闭) ;

三、OC 谐振阶段,谐振周期为: . 芯片采用准谐振输出方式,当检测到 OC 谐振到最低电压时,开通 PWM 输出,打 开开关管给电感充电,这样减小了开关管的开关损耗,提高了电源的转换效率. 4. FB 检测和反馈控制: Fb 引脚外部连接一只电容, 以平滑 Fb 电压, 外接电容会影响到电路的反馈瞬态特 DK212 DK212 SOP7 Rev: V1 www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

5 性及电路的稳定工作, 典型应用可在 1nF~10nF 之间选择;

芯片依据 FB 电压控制 PWM 输出峰值电流和工作频率. 5. SLEEP 模式: 为实现超低待机功耗,芯片设计了 SLEEP 模式时,当输出功率逐渐下降到 50mW 以 下时,芯片进入 SLEEP 模式.可以实现系统超低的待机功耗(Vor_Max, 立即关闭 PWM 输 出并进入异常保护模式.在光耦失效时,输出保护电压可通过下面公式计算: Vo_max:输出保护电压 Lp: 初级线圈电感量 H RS: IS 电阻值 Ω N: 初次级匝比 Vd: 次级整流管压降 V 在IS 接地使用内置电阻时,输出保护电压公式为: . 12. 异常保护模式: 芯片进入异常保护模式后, 关闭 PWM 输出, 启动 800ms 定时器. 在800ms 内, VCC 电压下降并维持 4.6V,800ms 后,芯片结束异常状态. DK212 DK212 SOP7 Rev: V1 www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

7 典型应用(5V2A 输出离线反激式开关电源) 元器件清单 序号 元件名称 规格/型号 位号 数量 备注

1 保险丝 T2A 250V F1

1 2 整流二极管 1N4007 D1-D4

4 3 二极管 FR107 D5

1 4 SR540 D

6、D7

2 5 电解电容 10uF/400V C1-C2

2 6 22uF/16V C5

1 7 1000uF/10V C7-C9

2 8 电感 2mH L1

1 9 10uH/2.5A L2

1 10 电容

102 250V C6

1 11

103 500V C3

1 12

103 C4

1 13 Y电容222 C8

1 14

104 C10

1 U2

7 DK212 DK212 SOP7 Rev: V1 www.dkpower.cn TEL:4008-781-212

8 15 电阻 4.7M R3

1 16

47 R2

1 17 100K R1

1 18

470 R6

1 19 2K R7

1 20 10K R9

1 精度1%

21 9.3K R10

1 精度1%

22 5.1K R8

1 23 22R R5

1 24 0.5 R4

1 精度1%

25 压敏电阻 7D471 ZV1

1 26 光耦 EL817C U2

1 27 电压基准 TL431 U3

1 28 IC DK212 SOP7 U1

1 29 变压器 EF20 T1

1 NP=128T,NS=9T,LP=1.6mH 设计注意事项

1、功率器件是需要散热的,芯片的主要热量来自功率开关管,功率开关管与引脚 OC 相连接,所以在 PCB 布线时,应该将引脚 OC 外接的铜箔的面积加大并作镀锡处理, 以增大散热能力;

同时这个部分也是交流信号部分,在EMI/EMC 设计时这个位置尽量远 离输入部分,如上图的 L1 左边部分电路,尽量减小电磁/电容耦合.

2、芯片的 OC 引脚是芯片的高压部份,最高电压可达 600V 以上,所以在线路布置 上要与低压部份保证 1.5mm 以上的安全距离,在5,6 脚和 7,8 脚开 1mm 槽以避开过锡 炉中松香等助焊剂漏电,造成电路出现击穿放电现象.

3、变压器的漏感 由于变压器不是理想器件,在制造过程中一定会存在漏感,漏感会影响到产品的稳 定及安全,所以要减小,漏电感应控制在电感量的 5%以内,三明治绕线方式可以减小 漏感. 变压器设计(只作参考) 变压器设计时,需要先确定一些参数: DK212 DK212 SOP7 Rev: V1 www.dkpower.cn TEL:4008-781-212