PDF《RS008G》

R RS S0

00 08 8G G 产品规格书 RS008G 产品规格书 2018-11-01 www.

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4 0.8A 门极灵敏型单向可控硅 Rev.2 RS008G 产品特征: PNPN 四层结构的硅单向器件;

门极灵敏触发;

P 型对通扩散隔离;

台面玻璃钝化工艺;

背面多层金属电极;

符合 RoHS 规范…….. 应用: 脉冲点火器;

负离子发生器;

逻辑电路驱动;

彩灯控制器;

漏电保护器;

吸尘器软启动… 可替代型号: MCR100-6;

MCR100-8;

BT169;

FS0102MA 主要参数: 符号 参数 数值 单位 IT(AV) 通态平均电流 0.5 A VDRM / VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V IGT 门极触发电流

200 ?A 极限参数(TCASE=25℃) : 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/ VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(AV) 通态平均电流 TO-92(TC≤63℃) 0.5 A IT(RMS) 通态均方根电流 TO-92(TC≤63℃),Fig. 1,2 0.8 A ITSM 通态不重复浪涌电流 半正弦波,Tj(init)=25℃, tp=10ms;

Fig. 3,5

8 A I2 t I2 t 值 正弦波脉冲,tp=10ms 0.32 A2 s dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT, tr≤10ns, F=120HZ, Tj=110℃

50 A/μs IGM 门极峰值电流 tp=20?s, Tj=110℃

1 A PGM 门极峰值功率 tp=20?s, Tj=110℃

2 W PG(AV) 门极平均功率 Tj=110℃ 0.1 W A:阳极 K:阴极 G:触发极 R RS S0

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4 TSTG 存储温度 -40―+150 ℃ Tj 工作结温 -40―+110 产品电性能 符号 参数 测试条件 数值 单位 最小值 典型值 最大值 IGT 门极触发电流 VD=12V, IT=10mA, Tj=25℃,Fig.

6 10 -

200 μA VGT 门极触发电压 VD=12V,IT=10mA,Tj=25℃ - - 0.8 V VGD 门极不触发电压 VD=1/2VDRM,RGK=1kΩ, Tj=110℃ 0.2 - - V IH 维持电流 VD=12V,IG=0.5mA, RGK=1kΩ,Tj=25℃,Fig.

6 - -

3 mA IL 擎住电流 - -

4 mA dVD/dt 断态电压临界 上升率 VD=67%VDRM, 门极开路 Tj=110℃

10 - - V/μs VTM 通态压降 IT=1.2A,tp=380μs, Tj=25℃,Fig.

4 - - 1.5 V IDRM / IRRM 断态重复峰值电 流VD=VDRM/VRRM, Tj=25℃ - -

5 μA VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃ - -

100 μA 热阻: 符号 参数 数值 单位 Rth (j-c) 结到管壳的热阻(AC) TO-92

60 ℃/W Rth (j-a) 结到环境的热阻 TO-92

150 ℃/W 型号、标识说明: R RS S0

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4 参数特性曲线 FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 FIG.2:均方根电流与壳温关系曲线图 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量关系图 FIG.4: 输出特性图(最大值图) FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住电流与 关系曲线 结温关系曲线图 R RS S0

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4 封装外形尺寸 T TO O- -9

92 2 修订记录: 日期 修订次数 修订内容 2018-11-01

2 重新修订了特性曲线图 2016-08-15

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