编辑: 迷音桑 | 2018-08-30 |
对 于集大电流、高耐压和高频特性于一体的固态电路,晶体管成为很有发展前途的功率电 子器件.
功率半导体器件在今后将向着大容量化、高频化、驱动简单、低导通压降、模 块化和功率集成化方向发展. 淬火机床的发展采用变频调速电机, 步进电机或伺服电机, 通过滚珠丝杆传动,移动速度均匀、精确.使用计算机进行控制的自动淬火机床,屏幕 显示工作状况,同时可故障报警或故障诊断.能量监控系统,工件加热温度的监控,采用PLC 与NC 控制已带普遍性. 关键词:感应热处理;
晶体管;
淬火机床;
感应加热工艺 第九次国际电工双年会上,纵向感应加热淬火被认为是
25 年来感应加热技术的最 大进步. 当时在我国科技界对此技术还未掌握, 对台阶轴的淬硬层还被允许是不连续的. 大直径与小直径之间允许有淬硬层中断过渡区,也就是允许有一不淬硬区域(软带) . 当时使用的感应加热设备,高频感应加热设备还是电子管高频设备;
中频感应加热设备 则是机械式中频变频机组.淬火机床大部分为液压传动机构和少部分机械传动机构.感 应加热设备和淬火机床的控制系统则大部分还是继电器控制. 进行感应加热的感应器主 要为聚焦式,用周向加热或直线式有效圈加热工件.感应加热设备、淬火机床、感应器 等还没有感应加热成套装置生产厂家.配备感应加热成套设备加热电源、机床、附属设 备需用户分头选购.感应器由用户自行设计制造,感应器夹头损耗大、效率低,与发达 国家相比差距较大.近几年,我国感应加热技术有了较大的发展,与发达国家的差距已 经缩小.
1、感应加热电源的发展 感应加热电源的发展很快.长期使用的机械式中频发电机电源由于效率低(70%~ 85%) ,已被逐步淘汰出感应加热范围,取而代之的是晶闸管中频电源.晶闸管电源频 率在 1kHz~8kHz,同时还有宽频带中频,适用范围大大扩展.80 年代发展起来的新型 感应加热电路 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor 双极晶体管门电路) ,由于将 MOSFET 和GTR 两者优点集于一身, 因此发展很快, 比晶闸管电源更节约能源 (10%) , 调节性能好,近年有取代部分晶闸管电源的趋势.国内有 200kW、50kHz 的电源设备. 美国这种电源设备可达 300kW、80kHz. 电子管高频加热电源效率低、危险性大、控制不稳定.目前发展起来的场效应晶体 管电路 MOS-FET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTran-sistor)是一种电压型高频 多数载流子器件. 随着 VMOS 技术移植到 MOS 功率器件后开始进入大功率领域, 产生 了垂直导电型 MOSFET(简称 VMOS) .目前 MOSFET 耐压为 1000V 以上,电流为数 百安培,而且 VMOS 管中没有电子存储延时效应,其中的载流子运动又为快速的漂移 运动,因而具有良好的高频特性,使MOSFET 更加有效的应用于工业、商业等各方面. SIT(StaticInductionTransistor)静电感应晶体管电源,集大电流、高耐压和高频特 性于一体,成为很有发展前途的功率电子器件.SIT 大功率(最大功率可达 400kW)高 频逆变器,将取代电子管振荡型高频电源.SIT 电源国内已生产多年,功率可达到 300kW,频率可达 200KHz-300kHz,耗散功率 3kW.由于有较大的通态压降,又是一 种常通器件, 所以不适合大部分电力电子技术的应用场合, 但是由于其开关频率非常高, 很适合于高频感应加热、调幅/调频及超声波发生器. SITH是70年代提出, 80年代发展起来的功率半导体器件, 目前研制出2000A/4000V 的水平.已用于高频感应加热、高频 DC/DC 变流器和无噪声 PWM 逆变器. MOSFET 场效应晶体管电路、 SIT 静电感应晶体管电源等固态电源电路与电子管振 荡式高频电源比较,全固态电源有如下优点: (