PDF《ELECTRONIC GIANT》

14 VDD Power PWM 控制部分电源,电压范围 3.5V-20V.

15 CT I 外接电容,设置振荡器工作频率范围 10KHz-100KHz,频率 f=(37.5 x106 )/CT (单位为 pF).

16 GND GND 芯片的地端. 屹晶微电子有限公司 EG1186 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片

2017 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4/10 5. 结构框图 图5-1. EG1186 结构框图 屹晶微电子有限公司 EG1186 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片

2017 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5/10 6. 典型应用电路 图6-1. EG1186 12V 大电流同步续流典型应用电路图 图6-2. EG1186 5V 大电流同步续流典型应用电路图 屹晶微电子有限公司 EG1186 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片

2017 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/10 图6-3. EG1186 5V 非同步续流典型应用电路图 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明,在TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 自举高端 VB 电源 VB - -0.3

600 V 高端悬浮地端 VS - VB-20 VB+0.3 V 高端输出 HO - VS-0.3 VB+0.3 V ADJ、 FB、 OUT、 HIN、 SD 等脚位 低压端 - -0.3

20 V TA 环境温度 - -45

125 ℃ Tstr 储存温度 - -65

150 ℃ TL 焊接温度 T=10S -

300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性. 屹晶微电子有限公司 EG1186 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片

2017 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7/10 7.2 典型参数 无另外说明,在TA=25℃,VCC=12V 符号 参数名称 测试条件 最小 典型 最大 单位 VB 高压电源 VB 输入电压

3 -

600 V VDD、VCC 低压电源 VDD、VCC 输入电压 3.5 -

20 V Fosc 振荡频率 Vin=48V, CT=470pF

60 75

90 KHz VADJ 反馈基准电压 Vin=30V 1.1 1.2 1.3 V D(max) 最大输出占空比 -

75 % UVLO(ON) UVLO 开启电压 -

6 6.5

7 V UVLO (OFF) UVLO 关闭电压 -

3 3.5

4 V UVLO (Hyst) UVLO 迟滞电压 -

3 V LO、 HO 输出 拉电流 IO+ Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS 0.8

1 - A LO、 HO 输出 灌电流 IO- Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS 1.2 1.5 - A 屹晶微电子有限公司 EG1186 芯片数据手册 V1.0 高压大电流降压型开关电源芯片

2017 ? 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 8/10 8. 应用设计 8.1 VCC 输入电容 在VCC 引脚端对地放置一个高频小容值旁路电容将减少 VCC 端的高频噪声,高频旁路电容可选用 1uF 陶瓷电容,布板时尽可能靠近芯片引脚 VCC 输入端. 8.2 VDD 储能电容 EG1186 需求 VDD 引脚端(

13、14 脚)对地放置一个 10uF 电容,主要用于启动时对 VDD 引脚进行储能 充电和正常工作时稳定 VDD 引脚的工作电压,同时该电容对输出短路保护有一定的作用,当输出短路时, VDD 引脚将失电,芯片进入 UVLO 模式,该电容的大小将影响当输出短路时芯片间隙去开启功率管的时间, 电容越大间隙的时间越长,功率管发热越小,反之功率管发热将增大. 8.3 启动过程 输入电源通过外部 R2 电阻对 VDD 引脚(

13、14 脚)的外接电容开始充电,此时 EG1186 芯片将在低静 态电流工作模式大概消耗