PDF《应用领域》

150 ― mV VZCDT 下降沿 ― ―

50 ― mV VOVP2 ZCD 引脚过压保护电压 ― 2.88 3.20 3.52 V tB_OVP 过压保护检测消隐时间 ― ―

1 ― μs 启动 tSTART 启动定时器周期 ― ―

40 ― μs tOFF 最小关断时间 ― ― 6.4 ― μs 过温保护 OTP 过温保护阈值 ― ―

150 ― ?C 功率 MOSFET RDS 功率 MOSFET 导通阻值 @ VGS = 10V,IDS = 0.5A ― 4.3 ― Ω BVDSS 功率 MOSFET 漏源电压 @ VGS = 0V,IDS <

250μA

650 ― ― V Rev. 1.10

5 2018-09-27 典型性能特性

4 6

8 10

12 14

16 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) start up current (uA) 图1. 启动电流 vs. 温度

17 17.4 17.8 18.2 18.6

19 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) UVLO_on (V) 图3. UVLO_on vs. 温度

22 22.5

23 23.5

24 24.5

25 25.5

26 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) VCC_OVP (V) 图5. VCC_OVP vs. 温度

291 292

293 294

295 296

297 298

299 300

301 302

303 304

305 306

307 308

309 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) VFB (mV) 图7. VFB vs. 温度 0.9

1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) operating current (mA) 图2. 工作电流 vs. 温度 6.4 6.8 7.2 7.6

8 8.4 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) UVLO_off (V) 图4. UVLO_o? vs. 温度 2.9

3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 -40 -20

0 20

40 60

80 100

120 temperature (℃ ) ZCD_OVP (V) 图6. ZCD_OVP vs. 温度 图8. 温度 vs. AC 输入电压 Rev. 1.10

6 2018-09-27 功能描述 HT7L5610 是一款专为隔离型 LED 照明应 用设计的一次初级侧离线式 LED 驱动芯 片,无需额外电路即可实现高功率因数和 低THD 值,仅需少量外部元件便可达到高 LED 电流精度. 启动电流 该芯片具有极低的启动电流 ISTART,用户可 以选择一个阻值较大的启动电阻以降低功 耗,提高效率. 功率因数校正 高功率因数可通过固定的导通时间获得. 为了实现固定导通时间的控制, 可在COMP 引脚和 GND 引脚间连接一个 0.47μF 的电容. 恒流控制 HT7L5610 通过检测初级侧信息可精确的 调整 LED 电流.LED 电流 IOUT 通过下面 程式设置: S P CS FB OUT N N R V I * * ≈

2 1 此处NP 为初级绕组,NS 为次级绕组;

VFB(=300mV) 为内部参考电压,RCS 为外部 电流检测电阻. VCC 欠压锁定 (UVLO) 该芯片具有 10V 迟滞的电压锁存功能.当VCC 高于 18V 时PWM 控制器开启,VCC 低于 7.5V 时PWM 控制器关闭.迟滞特性 可确保芯片在启动过程中通过输入电容器 积累的电荷上电.启动后,当输出电压升 高到一定值时,VCC 将通过辅助绕组由输 出供电. 临界导通模式 (BCM) 功率 MOSFET 通过电感电流零点检测开 启.可通过 ZCD 电压检测零点电流.当电 感电流过零点时,ZCD 引脚的电压迅速下 降.HT7L5610 检测到下降沿后开启功率 MOSFET.临界导通模式提供低导通开关 损耗和高转换效率. 前沿消隐 (LEB on CS) 每次外部功率 MOSFET 开启时,不可避 免使得在检测电阻处产生一个前沿尖峰电 压.为防止误触发,........