PDF《Evaluation of internal quantum》

30 nm 的p-AlGaN 电子阻挡层和

150 nm 的p-GaN 欧姆接触层. 对生长的样品分别标记为 M10(量子阱数目为

10 的多量子阱样品), L10(量子阱 数目为

10 的LED 样品), LC5(不含 InGaN 插入层量子 阱数目为

5 的LED 样品)和L5(含有 InGaN 插入层量 子阱数目为

5 的LED 样品). 对样品进行变温光致荧光测试, 将样品放置于 液氦制冷(温度范围为室温至

20 K)冷头中, 激发光源 为50 mW 的405 nm 半导体激光器以避免激发 GaN 而只激发 InGaN. 在常温下对样品进行变激发功率光 致荧光的测试, 采用同样的激发光源, 加入聚焦透镜 使达到样品的光斑面积约 6.25*10?3 mm2 . 对LED 样品, 除进行光学测试外, 还将外延片加工成

300 ?m*300 ?m 的芯片, 并对芯片进行变温电致荧光、 发 光强度-电流等测试.

3 结果与讨论 3.1 变温光致荧光测试 一般地, 辐射复合效率?r 可以表示为 1/ , 1/ 1/ ? ? ? ? ? ? r r r nr (1) 其中, ?r 和?nr 分别表示载流子的辐射复合和非辐射复 合寿命. 变温光致荧光常用于测试样品的辐射复合 效率[8] , 其原理是: 假设在低温下样品的非辐射复合 可以忽略(这一假设在大多数情况下是合理的), 即认 为低温下的辐射复合效率为 100%, 则用常温和低温 下光致荧光的强度之比就是样品的辐射复合效率, 如公式(2)所示: ( ) ( ) . ( ) ? ? PL r PL I RT RT I LT (2) 值得指出的是, 进行光致荧光测试时, 最好选用 Downloaded to IP: 192.168.0.24 On: 2019-06-17 07:50:26 http://engine.scichina.com/doi/10.1360/SSPMA2015-00025 汪莱等. 中国科学: 物理学 力学 天文学

2015 年第45 卷第6期067304-3 光子能量介于 InGaN 量子阱和 GaN 垒层带隙之间的 光源(如405,

375 nm 激光器)进行激发, 以保证只激 发量子阱中的载流子而不激发垒层的载流子. 如采 用325 nm 激光器进行激发, 则GaN 垒层中也会产生 光生载流子, 载流子同时还会弛豫到量子阱中进行 复合, 此时载流........