PDF《SDRAM 的原理和时序》

4 个,这也是 SDRAM 规范中的最高 L-Bank 数量.到了 RDRAM 则最多达到了

32 个,在 最新 DDR-Ⅱ的标准中,L-Bank 的数量也提高到了

8 个. 这样,在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank,然后再在这个选定的 L-Bank 中选择相应的行 与列进行寻址.可见对内存的访 问,一次只能是一个 L-Bank 工作,而每次与北桥交换的数据 就是 L-Bank 存储阵列中一个 存储单元 的容量.在某些厂商的 表述中,将L-Bank 中的存 储单元称为 Word(此处代表位的集合而不是字节的集合). 从前文可知,SDRAM 内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽,那么这个存储单元的容量 就是芯片的位宽(也是 L-Bank 的位 宽),但要注意,这种关系也仅对 SDRAM 有效,原因将 在下文中说明.

2、内存芯片的容量 现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了.那么内存的容量怎么计算呢?显然,内存芯片 的容量就是所有 L-Bank 中的存储单元 的容量总合.计算有多少个存储单元和计算表格中的单 元数量的方法一样: 存储单元数量=行数*列数(得到一个 L-Bank 的存储单元数量)*L-Bank 的数量 在很多内存产品介绍文档中,都会用 M*W 的方式来表示芯片的容量(或者说是芯片的规格/ 组织结构).M 是该芯片中存储单元的总数 ,单位是兆(英文简写 M,精确值是 1048576, 而不是 1000000),W 代表每个存储单元的容量,也就是 SDRAM 芯片的 位宽(Width),单 位是 bit.计算出来的芯片容量也是以 bit 为单位,但用户可以采用除以

8 的方法换算为字节 (Byte) .比如 8M*8,这是一个 8bit 位宽芯片,有8M 个存储单元,总容量是 64Mbit (8MB). 不过,M*W 是最简单的表示方法.下图则是某公司对自己内存芯片的容量表示方法,这可以 说是最正规的形式之一. 我们可以计算一下,结果可以发现这三个规格的容量都是 128Mbits,只是由于位宽的变化引起 了存储单元的数量变化.从这个例 子就也可以看出,在相同的总容量下,位宽可以采用多种 不同的设计.

3、与芯片位宽相关的 DIMM 设计 为什么在相同的总容量下,位宽会有多种不同的设计呢?这主要是为了满足不同领域的需要. 现在大家已经知道 P-Bank 的位宽是固 定的,也就是说当芯片位宽确定下来后,一个 P-Bank 中芯片的个数也就自然确定了,而前文讲过 P-Bank 对芯片集合的位宽有 要求,对芯片集合的 容量则没有任何限制.高位宽的芯片可以让 DIMM 的设计简单一些(因为所用的芯片少), 但在芯片容量相同时, 这种 DIMM 的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组,因为后者在 一个 P-Bank 中可以容纳更多的芯片.比如上文中那个内存芯 片容量标识图,容量都是 128Mbit,合16MB.如果 DIMM 采用双 P-Bank+16bit 芯片设计,那么只能容纳

8 颗芯 片,计128MB.但如果采用 4bit 位宽芯片,则可容纳

32 颗芯片,计512MB.DIMM 容量前后相差出

4 倍,可见芯片位宽 对DIMM 设计的重要性.因此,8bit 位宽芯片是桌面台式机上容量与成本 之间平衡性较好的选择,所以在市场上也最为普及,而高 于16bit 位宽的芯片一般用在需要更 大位宽的场合,如显卡等,至于 4bit 位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域,基本 不会在标准的 Unbuffered 模组设计中出现.

三、 SDRAM 的引脚与封装 图注:128Mbit 芯片不同位宽的引脚图(NC 代表未使用,-表示与内侧位宽设计相同) 根据 SDRAM 的官方规范,台式........