编辑: 烂衣小孩 2019-01-24

0344 KEMA 07ATEX0200 X II 级,1 区,G 组,Ex ia IIC T4 Ga -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) = 105°C IP66/IP67 电气参数:Ui =

30 V, Ii =

93 mA, Pi =

1 W, Ci =

5 nF, Li = 0.5 mH II 级,1 区,D 组,Ex ia IIIC T105°C Da -30 °C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60 °C 过程温度 (Tprocess) = 105°C IP66/IP67 II 级3区G组Ex ic IIC T4 Gc -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) = 110°C IP66/IP67 电气参数: Ui =

30 V, Ci =

5 nF, Li = 0.5 mH NEPSI 隔爆和防尘认证(代码N1) Ex d IIC T6 Gb;

Ex tD A21 IP66/IP67 T85°C 过程温度 (Tprocess) =80°C -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +75°C Ex d IIC T5 Gb;

Ex tD A21 IP66/IP67 T100°C 过程温度 (Tprocess) =95°C -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +80°C Ex d IIC T4 Gb;

Ex tD A21 IP66/IP67 T115°C 过程温度 (Tprocess) =110°C -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +80°C -

3 - NEPSI 本质安全认证(代码 N2) Ex ia IIC T4 Ga -40°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) =105°C IP66/IP67 Ex ia IIC T4 Gc -40°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) =105°C IP66/IP67 电气参数: Ui=30V, Ii=100mA, Pi=1W, Ci=13nF, Li=0.5mH 使用适于在温度比周围环境温度高 5°C 情况下工作的 电源线 IECEx 隔爆和防尘认证(代码E1) 证书编号 IECEx KEM 08.0001 X Ex d IIC T6 Ga/Gb -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +75°C 过程温度 (Tprocess) ≤85°C Ex d IIC T5 Ga/Gb -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +80°C 过程温度 (Tprocess) ≤ 100°C Ex d IIC T4 Ga/Gb -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +80°C 过程温度 (Tprocess) ≤ 110°C Ex tb IIIC T85°C Db -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +75°C 过程温度 (Tprocess) ≤ 85°C Ex tb IIIC T100°C Db -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +75°C 过程温度 (Tprocess) ≤ 100°C Ex tb IIIC T110°C Db -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤+75°C 过程温度 (Tprocess) ≤ 110°C 注意 ― 使用适于在温度比周围环境温度高 5°C 情况 下工作的电源线 IECEx 本质安全和防尘认证(代码E2) 证书编号 IECEx KEM 07.0058X Ex ia IIC T4 Ga -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) = 105°C IP66/IP67 电气参数: Ui =

30 V, Ii =

93 mA, Pi =

1 W, Ci =

5 nF, Li = 0.5 mH Ex ia IIIC T105°C Da -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) = 105°C IP66/IP67 Ex ic IIC T4 Gc -30°C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +60°C 过程温度 (Tprocess) = 110°C IP66/IP67 电气参数: Ui =

30 V, Ci =

5 nF, Li = 0.5 mH KOSHA 隔爆(代码 K1) Ex d II C T6 过程温度 (Tprocess )=

85 °C -30 °C ≤ 环境温度(Tamb)≤ +75 °C Ex d II C T5 过程温度 (Tprocess) =

100 °C -30 °C ≤ 环境温度 (Tamb)≤ +80 °C Ex d II C T4 过程温度 (Tprocess) =

110 °C -30 °C ≤ 环境温度 (Tamb) ≤ +80 °C 电磁兼容性 (EMC) 符合标准 符合 89/336/EEC、92/31/EEC、93/68/EEC 电磁兼 容性 (EMC) 指令 符合压力设备指令PED (97/23EC) 根据不同的测量流动介质,最大压力符合 PED 的危 害等级 SEP(Sound Engineeriong Practice) 模式,详 见以下表格: 测量流动 介质 组*压力 适用型号 气体

1 200 bar (20 MPa) 除GTX32D, 42D, 72D, 82G 的所有型号

2 1,000 bar (100 MPa) 所有型号 液体

1 500 bar (50 MPa) 所有型号

2 1,000 bar (100 MPa) 所有型号 注) 第1组包括流体的定义为:易爆,极易燃,较易燃,易燃,极毒, 有毒性和有氧化性. 第2组包括除第

1 组以外的所有其他液体. 所有型号变送器其最大工作压力是高于 SEP对应组的 压力,与SEP 相应组的压力不相符. 型号 GTX32D,42D,72D 和82G 符合 PED 模块 A -

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